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本文對因溫度循環(huán)和熱沖擊導(dǎo)致的疲勞失效模型進行研究

2024/11/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文對因溫度循環(huán)和熱沖擊導(dǎo)致的界面失效模型進行研究

2024/11/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，日本半導(dǎo)體行業(yè)正在迎來一個重要的里程碑，Rapidus公司成為日本首家獲得極紫外(EUV)光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司。

2024/12/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了P型半導(dǎo)體的MOS電容器典型的電容-電壓特性。

2025/02/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，科林公司宣布其銳葉（LEAF）集成式綠激光光凝儀正式獲得國家藥品監(jiān)督管理局（NMPA）批準，用于多種眼底病的激光治療。

2025/03/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹外延工藝的定義、關(guān)鍵要點、目標、工藝、影響因素、工藝方法等內(nèi)容。

2025/08/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文將帶您了解如何通過DPA分析技術(shù)，像"火眼金睛"一樣識別這些假冒偽劣器件。

2025/09/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹芯片的隱形殺手--噪聲

2025/11/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

0.2nm 將到來，最新芯片路線圖發(fā)布

2025/12/30 更新 分類：法規(guī)標準 分享

西安交通大學(xué)楊樹明教授提出的《如何解決三維半導(dǎo)體芯片中納米結(jié)構(gòu)測量難題？》，分析了三維半導(dǎo)體芯片未來發(fā)展對測量技術(shù)的需求，探索了大深寬比納米結(jié)構(gòu)測量的最新發(fā)展方向，研究了大長徑比納米探針技術(shù)在新一代半導(dǎo)體芯片測量中的可行性。

2021/08/03 更新 分類：科研開發(fā) 分享