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  • AI芯片需求驚人，全球芯片營收大增19.1%，創(chuàng)歷史新高

    根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)的報(bào)告，2024 年全球半導(dǎo)體芯片銷售額將增長 19.1% 至 6276 億美元，預(yù)計(jì) 2025 年增長率將達(dá)到兩位數(shù)。

    2025/02/08 更新 分類：行業(yè)研究 分享

  • 半導(dǎo)體潮濕敏感器件（MSD）的“爆米花”效應(yīng)

    通過了解MSD失效的"爆米花"機(jī)理、認(rèn)識(shí)MSL分級(jí)體系、實(shí)施科學(xué)的防潮包裝和嚴(yán)格的過程控制，能夠有效降低MSD失效的風(fēng)險(xiǎn)，提高電子產(chǎn)品的可靠性和使用壽命。

    2025/09/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 半導(dǎo)體Wire Bonding（WB、壓焊、Bonding、引線鍵合以及絲焊）原理、工藝及可靠性技術(shù)詳解

    介紹引線鍵合（Wire Bonding）的原理、工藝、設(shè)備、線材等核心內(nèi)容，含可靠性測試方法，服務(wù)于微電子器件制造。

    2025/11/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 導(dǎo)電塑料的制備及性能研究

    按照導(dǎo)電性能，材料一般可以分為絕緣體、半導(dǎo)體、導(dǎo)體和超導(dǎo)體。典型的導(dǎo)體，如金屬具有大量自由電子，自由電子可以定向移動(dòng)從而形成電流。絕緣體幾乎沒有可移動(dòng)電子，不具備導(dǎo)電性能。

    2022/12/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 靜電放電（ESD）對半導(dǎo)體的危害與防護(hù)及其檢測標(biāo)準(zhǔn)

    半導(dǎo)體器件在制造、測試、存儲(chǔ)、運(yùn)輸及裝配過程中，儀器設(shè)備、材料及操作者都很容易因摩擦而產(chǎn)生幾千甚至上萬伏的靜電電壓。當(dāng)器件與這些帶電體接觸時(shí)，帶電體就會(huì)通過器件引腳進(jìn)行放電，從而可能導(dǎo)致器件的損傷。

    2017/11/08 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 半導(dǎo)體材料表征能譜測試結(jié)果異常原因分析

    來自山東大學(xué)的高學(xué)平和張愛敏兩位研究人員在半導(dǎo)體材料表征中遇到能譜測試結(jié)果異常現(xiàn)象，異常現(xiàn)象產(chǎn)生原因可能與加速電壓、電子束流、元素含量、原子序數(shù)、設(shè)備靈敏度等多種因素有關(guān)。為了準(zhǔn)確了解異?，F(xiàn)象產(chǎn)生的原因，并提出合理的解釋，研究人員利用原子力顯微鏡(AFM)，蒙特卡洛模擬(Monte Carlo Simulation)軟件以及掃描電鏡配置的能譜儀等設(shè)備對此異?，F(xiàn)象進(jìn)行了分析

    2020/10/14 更新 分類：實(shí)驗(yàn)管理 分享

  • 半導(dǎo)體超痕量分析的難點(diǎn)解析

    在半導(dǎo)體行業(yè)對純水的要求是各污染元素的濃度均不超過20ppt，對其他試劑的純度要求也相當(dāng)嚴(yán)格。為了達(dá)到用ICP-MS測定ppt量級(jí)的Fe及其他關(guān)鍵元素的目的，上述各影響因素必須很好的消除。多年來，分析科學(xué)家及儀器制造商一直在不斷嘗試，現(xiàn)將其排除方法及其新的進(jìn)展做一簡單概括。

    2021/06/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 半導(dǎo)體激光器加速退化試驗(yàn)（ADT）案例研究與詳細(xì)計(jì)算分析

    本文旨在通過一個(gè)完整的案例，詳細(xì)闡述加速退化試驗(yàn)（Accelerated Degradation Testing, ADT）的理論、設(shè)計(jì)與數(shù)據(jù)分析全過程。我們以廣泛應(yīng)用于光通信領(lǐng)域的半導(dǎo)體激光器（Laser Diode, LD）作為研究對象，以其關(guān)鍵性能參數(shù)——輸出光功率作為退化特征量。通過施加高工作電流作為加速應(yīng)力，模擬其自然退化過程。案例將逐步展示試驗(yàn)設(shè)計(jì)、模型建立、數(shù)據(jù)收集、參數(shù)估計(jì)以及最終在正

    2025/10/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 混合集成電路的EMC設(shè)計(jì)

    混合集成電路(Hybrid Integrated Circuit)是由半導(dǎo)體集成工藝與厚(薄)膜工藝結(jié)合而制成的集成電路。混合集成電路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互連線,并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝,再外加封裝而成

    2018/07/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 光電導(dǎo)天線設(shè)計(jì)以及光電導(dǎo)天線檢測

    光電導(dǎo)天線包含一個(gè)嵌入在天線結(jié)構(gòu)的快速激活開關(guān)。實(shí)際上，光電導(dǎo)天線通常采取由半導(dǎo)體襯底的金屬電極的形式，和一個(gè)幾何體。飛秒光脈沖將被聚焦到兩個(gè)電極之間的縫隙中。假如光脈沖有一個(gè)與半導(dǎo)體帶隙大致相等的波長，電子空穴就會(huì)產(chǎn)生

    2018/09/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享