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可降解假性共軛聚合物的生物醫(yī)用研究獲進(jìn)展

2022/08/13 更新 分類：行業(yè)研究 分享

本文從汽車行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗(yàn)的要求出發(fā)，介紹了汽車級(jí)功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊需要滿足的條件。

2022/08/26 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文將簡單說明如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。

2023/04/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

對(duì)于模擬CMOS（互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過壓（信號(hào)電壓超過電源電壓）。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對(duì)。

2023/05/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

量子計(jì)算提供了一系列工具和解決方案，可以推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。其中包括提高芯片安全性、加快新材料的發(fā)現(xiàn)、優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和模擬量子效應(yīng)。

2023/12/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

寄生電容一般是指電感繞線間、芯片引腳之間、功率半導(dǎo)體引腳之間在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。

2024/03/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

非線性是如何產(chǎn)生的，為什么會(huì)引起增益壓縮，如何測(cè)試1dB增益壓縮點(diǎn)，這將是下文要重點(diǎn)介紹的內(nèi)容。

2024/04/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本研究通過在原子水平上控制現(xiàn)有二維半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，將其轉(zhuǎn)化為一維 MTB，實(shí)現(xiàn)了一維 MTB 金屬相。

2024/07/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

對(duì)半導(dǎo)體晶圓在濕法清洗工藝中可能導(dǎo)致的各種缺陷成因進(jìn)行分析，并對(duì)缺陷的處理方式做了簡要探討。

2024/10/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文探討了宇航、車載和工業(yè)控制等行業(yè)數(shù)據(jù)處理需求增長，推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)向更高集成度發(fā)展。

2024/10/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享