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本文介紹了MOSFET失效原因及對策。

2025/04/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹了MOSFET 的選型基礎(chǔ)及MOSFET應(yīng)用案例解析。

2022/04/02 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了功率 MOSFET及如何避免MOSFET常見問題和失效模式。

2023/05/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

晶體振蕩器的輸出頻率直接影響數(shù)據(jù)傳輸同步、信號采樣精度以及系統(tǒng)穩(wěn)定性。然而，頻率精度并非僅由晶體本身的品質(zhì)決定，電路中的負(fù)載電容同樣起著決定性作用。

2025/08/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

當(dāng)晶體管還是平面結(jié)構(gòu)時，金屬間距仍然是一個非常重要的測量值，它指的是集成電路的一個特定尺寸。然而隨著發(fā)展，在新的 3D 架構(gòu)下，金屬間距已不再重要，因為像 5 納米或 3 納米這樣的半導(dǎo)體邏輯節(jié)點不再指代金屬間距的一半。

2025/08/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹了固定式智能開關(guān)自整流負(fù)載設(shè)計注意事項

2022/03/04 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹了三極管和MOSFET器件選型原則及關(guān)鍵要素。

2021/08/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文總結(jié)了MOSFET器件選型的10步法則

2022/04/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了SiC襯底和外延材料對MOSFET器件特性的影響。

2024/03/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文分析了超結(jié)MOSFET EMC問題產(chǎn)生原因。

2025/02/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享