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體外同步復(fù)律產(chǎn)品注冊(cè)技術(shù)指導(dǎo)原則征求意見稿全文發(fā)布

2019/10/08 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文簡(jiǎn)要介紹中子散射與同步輻射技術(shù)基本原理、關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用、國內(nèi)外線站現(xiàn)狀等。

2020/09/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

僅用16天，帕母醫(yī)療的PADN多極同步肺動(dòng)脈射頻消融導(dǎo)管獲得FDA突破性設(shè)備認(rèn)證

2022/03/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

與抗腫瘤藥物同步開發(fā)的伴隨診斷試劑，藥物臨床試驗(yàn)資料相關(guān)要求有哪些？

2025/12/05 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文介紹了浪涌測(cè)試及其意義，國內(nèi)外SiC MOSFET浪涌性能的研究現(xiàn)狀及浪涌測(cè)試原理概述等。

2023/03/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

MOS管靜態(tài)參數(shù)指標(biāo)包含：漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、開啟電壓VTH、漏-源飽和漏電流IDSS、柵-源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流IGSS、導(dǎo)通電阻RDS(on)、柵源擊穿電壓VGS。

2024/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

MOSFET 中的金屬柵極堆疊結(jié)構(gòu)通常由多層薄膜組成。每層薄膜都有其特定的作用，共同優(yōu)化晶體管的性能、功耗和可靠性。

2025/06/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文將詳較FinFET與MOSFET的性能特點(diǎn)，并探討它們?cè)诓煌瑧?yīng)用場(chǎng)景中的適用性。

2025/07/04 更新 分類：科研開發(fā) 分享

一塊PCB板上如何同時(shí)安置RF電路和數(shù)字電路？

2017/09/01 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文介紹了射頻電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)。

2022/08/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享