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本文介紹了MOSFET并聯(lián)使用寄生振蕩原因分析。

2025/02/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性。

2025/04/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了什么是MOSFET的安全工作區(qū)。

2025/04/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

MOSFET溫度循環(huán)后芯片表面開裂失效分析。

2025/07/27 更新 分類：檢測案例 分享

本文主要介紹MOSFET結(jié)構(gòu)和基本特性解析

2025/12/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享

在轎車及卡車的變速箱中同步器是最重要的部件之一。對同步器系統(tǒng)的評價主要體現(xiàn)在同步性能、換檔力以及成本價格這三方面。在同步器系統(tǒng)中，高效的摩擦層將為提高同步器的性能起到了決定性的作用。本文就目前常用的幾種摩擦材料進(jìn)行了初步的探討。

2017/11/20 更新 分類：實驗管理 分享

有幾種非線性晶體已經(jīng)被用作產(chǎn)生和探測太赫茲輻射，例如GaAs、GaP、InP、GaSe、LiNbO3和LiTaO3,然而，最常用的晶體是ZnTe（碲化鋅）

2018/09/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了MOSFET的米勒平臺與米勒振蕩產(chǎn)生機(jī)理。

2025/01/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

超結(jié)MOSFET除傳統(tǒng)平面MOSFET EMC問題產(chǎn)生原因之外，其反向傳輸電容CRSS電容、輸出COSS電容的非線性是高頻寄生振蕩產(chǎn)生的重要原因，也是導(dǎo)致輻射發(fā)射測試不通過的重要因素之一。

2025/02/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文將深入探討MOSFET的失效率內(nèi)涵，并系統(tǒng)性地闡述如何選擇一個優(yōu)秀的MOSFET，為工程師的設(shè)計工作提供一份堅實的理論依據(jù)與實踐指南。

2025/12/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享