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  • MOSFET的失效機(jī)理:dV/dt失效和雪崩失效

    本文介紹了MOSFET的失效機(jī)理:dV/dt失效和雪崩失效

    2022/11/10 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 汽車Si MOSFET與車規(guī)級功率器件AEC-Q101認(rèn)證

    本文介紹了汽車Si MOSFET與車規(guī)級功率器件AEC-Q101認(rèn)證。

    2025/01/10 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • MOSFET的非理想效應(yīng)(Non-Ideal Effect)-LKJ,DIBL,GIDL

    MOSFET的非理想效應(yīng)(Non-Ideal Effect)-LKJ,DIBL,GIDL。

    2025/08/26 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • MOSFET主要失效模式、機(jī)理與失效分析案例

    本文將從基本特性出發(fā),拆解 MOSFET 的失效密碼,結(jié)合真實(shí)案例給出防范方案,為工程師和電子愛好者提供專業(yè)參考。

    2025/11/28 更新 分類:檢測案例 分享

  • 同步帶?拉伸性能的檢測方法

    同步帶在投入使用之前我們需要對其進(jìn)行拉伸性能試驗(yàn),那么大家是否了解同步帶拉伸性能試驗(yàn)的方法都有哪些嗎?

    2019/06/18 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 體外同步復(fù)律監(jiān)護(hù)儀的研發(fā)實(shí)驗(yàn)要求、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)與主要風(fēng)險(xiǎn)

    體外同步復(fù)律監(jiān)護(hù)儀適用于體外同步復(fù)律產(chǎn)品,可進(jìn)行體外同步復(fù)律治療,產(chǎn)品的管理類別為Ⅲ類,是用于心臟治療、急救的設(shè)備或系統(tǒng)。本文對體外同步復(fù)律監(jiān)護(hù)儀的研發(fā)實(shí)驗(yàn)要求、相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)與主要風(fēng)險(xiǎn)等內(nèi)容進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。

    2021/08/01 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 醫(yī)療器械包裝設(shè)計(jì)的完整流程解讀

    本次步分享關(guān)于醫(yī)療器械的包裝設(shè)計(jì)。

    2024/07/31 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 硅基低壓MOSFET器件漏電失效分析

    本文通過采用熱點(diǎn)分析和聚焦離子束-掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)技術(shù),提出了一種高效的檢測手段,用以快速識別和分析溝槽MOSFET器件在電學(xué)性能和膜層結(jié)構(gòu)上的失效。

    2024/08/21 更新 分類:檢測案例 分享

  • 功率MOSFET損壞模式分析

    本文通過功率MOSFET管的工作特性,結(jié)合失效分析圖片中不同的損壞形態(tài),系統(tǒng)的分析過電流損壞和過電壓損壞,同時(shí),根據(jù)損壞位置不同,分析功率MOSFET管的失效是發(fā)生在開通的過程中,還是發(fā)生在關(guān)斷的過程中,從而為設(shè)計(jì)工程師提供一些依據(jù),來找到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一些問題,提高電子系統(tǒng)的可靠性。

    2021/11/15 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • MOSFET的失效率與選型

    本文將分為兩大部分,第一部分將深入探討MOSFET的失效率,揭示其背后的物理機(jī)制與統(tǒng)計(jì)意義;第二部分將系統(tǒng)性地闡述如何選擇一個(gè)優(yōu)秀的MOSFET,構(gòu)建一套從參數(shù)到供應(yīng)商的完整選型體系。

    2025/12/13 更新 分類:科研開發(fā) 分享