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您當(dāng)前的位置:檢測(cè)預(yù)警 > 欄目首頁(yè)

  • 芯片流片-tape out是什么?

    流片(tape-out)是指通過(guò)一系列工藝步驟在流水線上制造芯片,是集成電路設(shè)計(jì)的最后環(huán)節(jié),即“試生產(chǎn)",簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是電路設(shè)計(jì)完以后,先小批量生產(chǎn),供測(cè)試使用。

    2025/03/19 更新 分類(lèi):科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 關(guān)于裸芯片焊盤(pán)與基底硅的結(jié)合力測(cè)試討論

    請(qǐng)教各位專(zhuān)家們一個(gè)問(wèn)題,關(guān)于裸芯片焊盤(pán)與基底硅的結(jié)合力如何測(cè)試呢?有沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)? 還有就是這個(gè)結(jié)合力大小的影響因素都有哪些呢?

    2025/04/21 更新 分類(lèi):科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 傳華為AI芯片昇騰910C將大規(guī)模交付,替代英偉達(dá)H20

    近日,據(jù)路透社消息,華為計(jì)劃最早于5月向中國(guó)客戶(hù)大規(guī)模交付其自研的昇騰910C人工智能芯片,部分訂單已提前完成交付。

    2025/04/23 更新 分類(lèi):科研開(kāi)發(fā) 分享

  • CPLD芯片失效分析

    綜合分析確認(rèn),CPLD 芯片的 Bank0 和 Bank1 I/O 區(qū)域發(fā)生了嚴(yán)重的過(guò)電擊穿,導(dǎo)致VCCIO0、VCCIO1 及核心 VCC 對(duì)地短路。

    2025/06/28 更新 分類(lèi):檢測(cè)案例 分享

  • 浪涌測(cè)試燒壞485芯片及保護(hù)器件原因分析

    本文主要舉例分析在對(duì)某設(shè)備在做浪涌測(cè)試時(shí)485芯片及其保護(hù)器件燒壞的現(xiàn)象,原因分析、解決措施、思考與啟示。

    2025/07/05 更新 分類(lèi):科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 芯片在極端環(huán)境下的失效機(jī)制及分析方法

    分享一個(gè)典型的失效分析案例,探討芯片在極端環(huán)境下的失效機(jī)制及分析方法,希望能為行業(yè)同仁提供一些技術(shù)參考。

    2025/07/13 更新 分類(lèi):檢測(cè)案例 分享

  • 如何對(duì)未知芯片進(jìn)行可靠性預(yù)計(jì)的理論基礎(chǔ)、核心方法、實(shí)施步驟

    本文將系統(tǒng)性地闡述在未知芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的情況下,進(jìn)行可靠性預(yù)計(jì)的理論基礎(chǔ)、核心方法、實(shí)施步驟,并結(jié)一個(gè)工業(yè)控制領(lǐng)域的具體實(shí)例,深入剖析這一過(guò)程。

    2025/11/18 更新 分類(lèi):科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 芯片失效分析方法有哪些?

    對(duì)于研發(fā)工程師,在排查完外圍電路、生產(chǎn)工藝制程可能造成的損傷后,更多的還需要原廠給予支持進(jìn)行剖片分析。不管芯片是否確實(shí)有設(shè)計(jì)問(wèn)題,但出于避免責(zé)任糾紛,最終原廠回復(fù)給你的報(bào)告中很可能都是把問(wèn)題指向了“EOS”損傷,進(jìn)而需要你排查自己的電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)靜電防控。

    2020/10/29 更新 分類(lèi):科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 芯片實(shí)驗(yàn)室及其發(fā)展趨勢(shì)

    芯片實(shí)驗(yàn)室(Lab-on-a-chip)或稱(chēng)微全分析系統(tǒng)(Miniaturized Total Analysis System, μ-TAS)是指把生物和化學(xué)等領(lǐng)域中所涉及的樣品制備、生物與化學(xué)反應(yīng)、分離檢測(cè)等基本操作單位集成或基本集成一塊幾平方厘米的芯片上,用以完成不同的生物或化學(xué)反應(yīng)過(guò)程,并對(duì)其產(chǎn)物進(jìn)行分析的一種技術(shù)。

    2021/01/03 更新 分類(lèi):實(shí)驗(yàn)管理 分享

  • 一種低壓DDR終端調(diào)整器芯片設(shè)計(jì)

    本文介紹了一種可同時(shí)用作DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4存儲(chǔ)器總線電壓的低壓終端調(diào)整器芯片設(shè)計(jì),可以為DDR存儲(chǔ)器提供一套完整的低功耗解決方案。

    2021/04/22 更新 分類(lèi):科研開(kāi)發(fā) 分享