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在半導體制造中，晶圓（Wafer）邊緣（Edge）的 Die 與中心（Center）的 Die 在性能、良率和可靠性上存在顯著差異。這些差異主要源于制造過程中的物理效應(yīng)、工藝均勻性、熱應(yīng)力和光刻/刻蝕非均勻性等因素。

2025/09/06 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文重點介紹了IC污染物雜質(zhì)的分類和半導體濕法清洗技術(shù)。

2021/05/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

Full Mask（全掩膜）和 MPW（Multi Project Wafer，多項目晶圓）是集成電路制造中兩種不同的流片方式，它們在成本、生產(chǎn)和工藝上各有特點。

2025/03/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

大體而言集成電路產(chǎn)業(yè)可分為三個階段：電路設(shè)計，晶圓制造，封裝測試。電路設(shè)計大體是一群電路系統(tǒng)畢業(yè)的學霸搞出來的(因為學霸，所以高薪)，他們把設(shè)計好電路給晶圓制造廠(臺積電、聯(lián)電、中芯國際……)，最后圓片從晶圓廠發(fā)貨到封裝測試廠(日月光、安靠、長電科技……)。

2021/03/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所制備出通信波段馬赫-曾德爾干涉儀型硅基鈮酸鋰高速電光調(diào)制器。

2024/04/01 更新 分類：科研開發(fā) 分享

一般來說，我們所知道的半導體制造的八大工藝分別為：晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、沉積、金屬互連、測試和封裝。

2025/04/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

針對半導體器件中所有發(fā)射阿爾法粒子的材料，包括塑封料、焊球、晶圓等，均可進行阿爾法粒子發(fā)射率測試，覆蓋各種阿爾法粒子發(fā)射率等級。本文主要介紹進行阿爾法粒子發(fā)射率測試的樣品要求。

2020/09/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享

據(jù)最新消息報道，臺積電將于 2025 年第四季度在位于新竹的 Fab 20 工廠開始生產(chǎn)基于 2nm GAA 的晶圓.

2024/11/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享

從WAT的工藝監(jiān)控，到CP的裸片篩選，再到FT的全面考核，這三道測試關(guān)卡構(gòu)成了芯片質(zhì)量的"三重防護網(wǎng)"。

2025/11/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了圓二色譜法的分析應(yīng)用。

2025/05/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享