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標準單元在芯片設計的核心地位，分析其設計流程、挑戰(zhàn)，提出多維度優(yōu)化方法，展望未來發(fā)展方向。

2025/09/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

析 ASIC 設計標準單元，說明 6T/9T/12T 高度含義，闡述其布局、性能面積權衡及應用

2025/09/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

詳解 IC 設計標準單元庫，含其特點、類型、選擇標準及核心單元，助簡化開發(fā).

2025/09/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

與體硅 CMOS 相比，F(xiàn)inFET 器件在抑制短溝道效應、降低能耗、提升電源電壓可擴展性以及提高導通/關斷電流比方面均表現(xiàn)更優(yōu)。

2025/08/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享