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量子計算提供了一系列工具和解決方案,可以推動半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。其中包括提高芯片安全性、加快新材料的發(fā)現(xiàn)、優(yōu)化芯片設(shè)計和模擬量子效應(yīng)。
2023/12/14 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文依據(jù)YY/T 1268-2015 《環(huán)氧乙烷滅菌的產(chǎn)品追加和過程等效》,采用過程等效驗證的方式來實現(xiàn)。
2024/02/29 更新 分類:科研開發(fā) 分享
研究人員在綜合物理測量系統(tǒng)(PPMS)設(shè)備的基礎(chǔ)上,依據(jù)電阻應(yīng)變片測試原理,對磁相變材料的熱膨脹性能進(jìn)行測試,建立了一套表征磁相變材料熱膨脹性能的測試方法。
2024/05/06 更新 分類:科研開發(fā) 分享
針對這一問題,同濟(jì)大學(xué)航空航天與力學(xué)學(xué)院的研究學(xué)者通過一系列實驗方法,結(jié)合有限元仿真研究了植物纖維增強復(fù)合材料獨特的燃燒行為和燈芯效應(yīng)。
2024/10/10 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文將從細(xì)胞、動物、臨床水平的研究,匯總FLASH-PT既往研究成果,歸納FLASH-PT效應(yīng)機制的假說,旨在為推進(jìn)FLASH-PT研究和臨床轉(zhuǎn)化提供參考。
2025/02/18 更新 分類:科研開發(fā) 分享
研究人員對多種核電電纜聚合物材料開展了不同劑量率和吸收劑量的β輻照試驗,同時結(jié)合不同溫度條件開展了熱-輻射耦合老化研究。
2025/02/20 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文將詳細(xì)探討這些輻射效應(yīng)的機理及其對電子設(shè)備的影響,并介紹相應(yīng)的防護(hù)措施。
2025/02/28 更新 分類:科研開發(fā) 分享
MABEL法計算TCE起始劑量的六個核心變量:1)靶細(xì)胞來源和靶點表達(dá)水平;2)效應(yīng)細(xì)胞來源;3)效靶比(E:T ratio);4)孵育時間;5)試驗終點選擇;6)ECx.
2025/03/20 更新 分類:科研開發(fā) 分享
雙光子顯微鏡(Two-photon microscope,TPM)作為一種基于非線性光學(xué)效應(yīng)的高分辨率三維成像技術(shù),近年來在化妝品功效評價領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的應(yīng)用潛力。
2025/04/29 更新 分類:科研開發(fā) 分享
與體硅 CMOS 相比,F(xiàn)inFET 器件在抑制短溝道效應(yīng)、降低能耗、提升電源電壓可擴(kuò)展性以及提高導(dǎo)通/關(guān)斷電流比方面均表現(xiàn)更優(yōu)。
2025/08/24 更新 分類:科研開發(fā) 分享