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在EMC整改過程中，RC snubber電路（也稱為RC吸收電路）常用于抑制開關(guān)器件的電壓尖峰和高頻振蕩，進(jìn)而改善電路的電磁兼容性。

2024/08/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文作者從軟包裝鋰離子電池鋁塑膜腐蝕機理出發(fā)，比較邊電壓和邊電阻測試篩選控制腐蝕的可靠性、可行性，并給出腐蝕最優(yōu)控制條件。

2024/10/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文作者通過變溫試驗艙模擬低溫擱置環(huán)境，測試電池容量保持率、庫侖效率、電化學(xué)阻抗譜(EIS)、充放電曲線、容量增量及微分電壓曲線等特性參數(shù)。

2024/11/06 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了反激電路中TL431光耦反饋參數(shù)計算。

2025/04/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

壓敏電阻最重要的幾個參數(shù)包括：壓敏電壓、通流容量、結(jié)電容、響應(yīng)時間等。

2025/05/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享

HTOL (High-Temperature Operating Life) 即高溫壽命測試，通過溫度、電壓激活失效機制來評估芯片可靠性的測試方法。

2025/05/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

與體硅 CMOS 相比，F(xiàn)inFET 器件在抑制短溝道效應(yīng)、降低能耗、提升電源電壓可擴展性以及提高導(dǎo)通/關(guān)斷電流比方面均表現(xiàn)更優(yōu)。

2025/08/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文圍繞額定電壓不高于250V的手持高速吹風(fēng)機，分享其家用標(biāo)準(zhǔn)和商用標(biāo)準(zhǔn)的一些差異。

2025/10/30 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

2014年3月29日，歐盟官方期刊公布了新版本CE認(rèn)證的《低電壓指令》（ 2014/35/EU ），用以替換原有指令2006/95/EC。 新指令將于2016年4月20日起執(zhí)行。各成員國必須在2016年4月19日前完成立法程

2014/12/28 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

電磁兼容設(shè)計主要包含浪涌（沖擊）抗擾度、振鈴波浪涌抗擾度、電快速瞬變脈沖群抗擾度、電壓暫降、短時中斷和電壓變化抗擾度、工頻電源諧波抗擾度、靜電抗擾度、射頻電磁場輻射抗擾度、工頻磁場抗擾度、脈沖磁場抗擾度、傳導(dǎo)騷擾、輻射騷擾、射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)抗擾度等相關(guān)設(shè)計。

2016/05/11 更新 分類：實驗管理 分享