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IP防護等級認證外殼防塵防水試驗主要采用中文標準GB/T4208-2017外殼防護等級（IP代碼）進行試驗，等同采用英文標準IEC60529:2013。外殼防塵防水試驗IP防護等級認證主要適用于產(chǎn)品額定電壓在72.5V以內(nèi)的戶外電氣設(shè)備。
2021/02/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文介紹了一種可同時用作DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4存儲器總線電壓的低壓終端調(diào)整器芯片設(shè)計，可以為DDR存儲器提供一套完整的低功耗解決方案。
2021/04/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文通過功率MOSFET管的工作特性，結(jié)合失效分析圖片中不同的損壞形態(tài)，系統(tǒng)的分析過電流損壞和過電壓損壞，同時，根據(jù)損壞位置不同，分析功率MOSFET管的失效是發(fā)生在開通的過程中，還是發(fā)生在關(guān)斷的過程中，從而為設(shè)計工程師提供一些依據(jù)，來找到系統(tǒng)設(shè)計的一些問題，提高電子系統(tǒng)的可靠性。
2021/11/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文通過一個設(shè)備在技術(shù)開發(fā)階段遇到的質(zhì)量問題，比較兩種模式：腔體結(jié)構(gòu)的電壓耦合量是無腔體結(jié)構(gòu)的9.34倍，由此可以得出我的結(jié)論腔體結(jié)構(gòu)對靜電電荷有很大的耦合功功能和放大的結(jié)論。
2021/12/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文在加速電壓為120kV、聚焦電流為2460mA、焊接電流為12mA條件下，采用真空電子束對3mm厚304不銹鋼板進行焊接，研究了焊接速度(10~40mm·s-1)對接頭顯微組織和力學性能的影響。
2022/01/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文描述了符合IEC 61010-1:2010+AMD1:2016產(chǎn)品在完成制造后的例行檢驗測試要求。該測試有助于識別制造中功能測試可能檢查不到的故障或不可接受的公差。
2022/03/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享
最近接到很多廠家的電磁兼容EMC測試要求，電磁兼容的檢測項目都是常規(guī)項目，只是產(chǎn)品本身的電壓和電流比較特殊，有的是AC380V,有的是DC690V，還有的是AC690V，但它的上電工作電流是非常大的，基本上都在20多安培到30多安培。
2022/10/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享
輸入阻抗（input impedance)是指一個電路輸入端的等效阻抗。在輸入端上加上一個電壓源U，測量輸入端的電流I，則輸入阻抗Rin就是U/I。你可以把輸入端想象成一個電阻的兩端，這個電阻的阻值，就是輸入阻抗。
2022/12/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享
GB4943.1-2011標準適用于電網(wǎng)電源供電的或電池供電的、額定電壓不超過600V的信息技術(shù)設(shè)備，包括電氣食物設(shè)備和與之相關(guān)的設(shè)備。
2022/12/28 更新 分類：法規(guī)標準 分享
近日，廈門大學孫世剛院士團隊和寧德時代新能源魏奕民博士等人圍繞高鎳材料NCM811氧釋放現(xiàn)象，針對NCM811在過充條件下進行了多尺度分析，模擬了突發(fā)的大電流充電行為導致電池電壓急劇上升的過程。
2023/02/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享
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