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  • 三元電芯原位膨脹分析不同溫度條件下充放電過程的厚度變化的測試方法

    本文采用原位膨脹分析儀(SWE),對NCM523/石墨電芯(3446106,理論容量2400mAh)進(jìn)行不同溫度條件下(0℃,25℃,45℃,60℃)充放電過程的厚度變化測試,對比分析電芯膨脹行為。

    2020/10/14 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 玻璃鋼的基本性能介紹

    本文介紹了玻璃鋼的密度,電性能,熱性能等基本性能

    2021/05/19 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • Veloxion:一次性電切鏡 一次性內(nèi)窺鏡又一力作

    在臨床+市場+資本三重因素作用下,一切內(nèi)窺鏡都在被一次性化,Veloxion是世界上第一臺也是唯一一臺一次性電切鏡,其集成了內(nèi)窺鏡、沖洗、雙極電切。

    2021/10/15 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 電沉積鎳基復(fù)合鍍層的研究進(jìn)展

    本文介紹了不同電沉積法的特點,綜述了電流密度、鍍液pH、表面活性劑、第二相顆粒含量和尺寸等工藝參數(shù)對鎳基復(fù)合鍍層質(zhì)量的影響,總結(jié)了鎳基復(fù)合鍍層的種類及應(yīng)用現(xiàn)狀,最后對電沉積鎳基復(fù)合鍍層的未來發(fā)展方向進(jìn)行了展望。

    2021/12/07 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 原位分析硅碳體系電芯膨脹性能-化成過程

    本文采用原位膨脹分析儀(SWE)對不同克容量的硅碳體系電芯進(jìn)行化成過程厚度膨脹分析,發(fā)現(xiàn)隨著硅碳負(fù)極克容量的增大,電芯的膨脹厚度也增大,這主要與形成硅碳合金時硅結(jié)構(gòu)膨脹有關(guān),研發(fā)人員應(yīng)合理調(diào)控硅碳比例及修飾硅基材料結(jié)構(gòu)來抑制結(jié)構(gòu)膨脹。

    2022/02/09 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 兩部件之間爬電距離限值可能小于電氣間隙的限值嗎?

    根據(jù)GB/T16935.1-2008/IEC60664-1《低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合 第1部分:原理、要求和試驗》標(biāo)準(zhǔn)5.2.2.6條款,原則上如果爬電距離限值“居然”小于電氣間隙限值,就可以“簡單粗暴”改用數(shù)值更大的電氣間隙限值作為爬電距離的限值。

    2022/04/13 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 醫(yī)療設(shè)備高頻電刀計量校準(zhǔn)檢測方法

    高頻電刀(高頻手術(shù)設(shè)備)是外科手術(shù)中廣泛使用的醫(yī)療設(shè)備,主要用于組織切割和凝血。其性能的穩(wěn)定性直接影響手術(shù)效果和患者安全。為確保高頻電刀輸出的功率、頻率等參數(shù)符合標(biāo)準(zhǔn),必須定期進(jìn)行計量校準(zhǔn)檢測,以保證其安全性和有效性。

    2025/07/14 更新 分類:實驗管理 分享

  • 電快速瞬變脈沖群(EFT/B)測試標(biāo)準(zhǔn)方法與注意事項

    電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗依據(jù)國家基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)GB/T17626.4-2018,IEC61000-4-4:2012《電磁兼容 試驗和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗》進(jìn)行測試。

    2025/10/14 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 芯片非典型EOS(電過應(yīng)力)失效分析

    在芯片失效分析領(lǐng)域,EOS(電過應(yīng)力)是一種常見的失效模式。傳統(tǒng)的EOS失效通常表現(xiàn)為電壓或電流輸入引腳的明顯燒毀痕跡,然而近期我們遇到很多特殊的案例(開蓋觀察可能的EOS引入引腳在電性測試并未檢測出來)

    2025/10/19 更新 分類:檢測案例 分享

  • 2019年諾貝爾化學(xué)獎/物理獎/生理學(xué)或醫(yī)學(xué)獎全部揭曉

    截至北京時間10月9日,2019年諾貝爾化學(xué)獎/物理獎/生理學(xué)或醫(yī)學(xué)獎全部揭曉

    2019/10/10 更新 分類:科研開發(fā) 分享