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  • 遺傳毒性雜質(zhì)風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估簡(jiǎn)析

    遺傳毒性雜質(zhì)(Genotoxic Impurities,GTIs),也稱基因毒性雜質(zhì),是指能引起遺傳毒性的雜質(zhì),包括致突變雜質(zhì)和其他類型的非致突變雜質(zhì)。其中,致突變雜質(zhì)(Mutagenic Impurities)指在較低水平時(shí)也能直接引起DNA損傷,導(dǎo)致DNA突變,從而可能引發(fā)癌癥的遺傳毒性雜質(zhì)[1],其致突變致癌作用機(jī)制目前一般認(rèn)為是線性機(jī)制。

    2020/11/28 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 進(jìn)口醫(yī)療器械的檢驗(yàn)依據(jù)及進(jìn)口心臟起搏器、呼吸機(jī)等醫(yī)療器械的特殊檢驗(yàn)要求

    進(jìn)口醫(yī)療器械,是指從境外進(jìn)入中華人民共和國(guó)境內(nèi)的,單獨(dú)或者組合使用于人體的儀器、設(shè)備、器具、材料或者其他物品,包括所配套使用的軟件,其使用旨在對(duì)疾病進(jìn)行預(yù)防、診斷、治療、監(jiān)護(hù)、緩解,對(duì)損傷或者殘疾進(jìn)行診斷、治療、監(jiān)護(hù)、緩解、補(bǔ)償,對(duì)解剖或者生理過(guò)程進(jìn)行研究、替代、調(diào)節(jié),對(duì)妊娠進(jìn)行控制等。

    2021/02/16 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 工業(yè)CT技術(shù)用于再制造界面缺陷的檢測(cè)與展望

    激光熔覆技術(shù)作為一種先進(jìn)的增材再制造技術(shù),具有涂層與基體為冶金結(jié)合、能量集中、熱影響區(qū)小、對(duì)基體損傷小、加工精度高等優(yōu)點(diǎn),能夠?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜零部件的高效修復(fù)。

    2021/04/24 更新 分類:實(shí)驗(yàn)管理 分享

  • 航空發(fā)動(dòng)機(jī)典型基材防護(hù)體系加速腐蝕試驗(yàn)

    本文采用模擬服役環(huán)境的仿真加速腐蝕試驗(yàn)環(huán)境譜,開(kāi)展航空發(fā)動(dòng)機(jī)基材試件實(shí)驗(yàn)室加速腐蝕試驗(yàn),對(duì)同一基材、不同表面處理工藝與防護(hù)體系的試件的腐蝕損傷程度進(jìn)行比對(duì)與評(píng)估,依據(jù)比對(duì)評(píng)估結(jié)果篩選耐蝕性優(yōu)良的基材防護(hù)體系,為該型航空發(fā)動(dòng)機(jī)基材及其防護(hù)體系的環(huán)境適應(yīng)性工程應(yīng)用奠定試驗(yàn)分析與評(píng)估基礎(chǔ)。

    2021/08/24 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享

  • ESD的測(cè)試與保護(hù)方法

    本文介紹了ESD的標(biāo)準(zhǔn)以及測(cè)試方法,根據(jù)靜電的產(chǎn)生方式以及對(duì)電路的損傷模式不同通常分為四種測(cè)試方式:人體放電模式(HBM: Human-Body Model)、機(jī)器放電模式(Machine Model)、元件充電模式(CDM: Charge-Device Model)、電場(chǎng)感應(yīng)模式(FIM: Field-Induced Model),但是業(yè)界通常使用前兩種模式來(lái)測(cè)試(HBM, MM)。

    2021/09/07 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 國(guó)家藥監(jiān)局:醫(yī)用射線防護(hù)噴劑明確按第二類醫(yī)療器械管理

    醫(yī)用射線防護(hù)噴劑產(chǎn)品通常由超氧化物歧化酶及其穩(wěn)定劑,和其他輔料(姜黃素、山梨醇、山梨酸醇等)組成,預(yù)期用途為預(yù)防和減輕醫(yī)用射線等理化因素產(chǎn)生的自由基對(duì)人體皮膚、粘膜組織造成的損傷,按照第二類醫(yī)療器械管理。

    2022/04/30 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 半導(dǎo)體的ESD失效特性及防護(hù)能力影響

    自然界中充斥著靜電。對(duì)于集成電路行業(yè),每一顆芯片從最開(kāi)始的生產(chǎn)制造過(guò)程、封裝過(guò)程、測(cè)試過(guò)程、運(yùn)輸過(guò)程到最終的元器件的焊接、組裝、使用過(guò)程,幾乎時(shí)刻都伴隨著靜電,在任何一個(gè)環(huán)節(jié)靜電都有可能對(duì)芯片造成損傷。

    2022/07/21 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享

  • SMC高壓變頻模塊隨機(jī)振動(dòng)疲勞分析

    本文針對(duì)SMC高壓變頻模塊在實(shí)際運(yùn)輸過(guò)程中的隨機(jī)振動(dòng)工況,利用HyperMesh軟件和ANSYS軟件仿真分析了模塊的隨機(jī)振動(dòng)響應(yīng)及其疲勞損傷情況,并通過(guò)試驗(yàn)對(duì)比驗(yàn)證了仿真分析模型,在仿真結(jié)果與試驗(yàn)結(jié)果整體趨勢(shì)一致的前提下,進(jìn)一步修正確定了該類SMC模塊結(jié)構(gòu)的阻尼比大小。

    2022/09/10 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享

  • SCiP:無(wú)創(chuàng)神經(jīng)調(diào)節(jié)治療腦癱 讓患者擁有自主感覺(jué)運(yùn)動(dòng)功能

    腦癱(cerebral palsy),全稱腦性癱瘓。是指嬰兒出生前到出生后一個(gè)月內(nèi)腦發(fā)育早期,由于多種原因?qū)е碌姆沁M(jìn)行性腦損傷綜合癥。主要表現(xiàn)為中樞性運(yùn)動(dòng)障礙以及姿勢(shì)異常,還可伴有智力低下、癲癇、感知覺(jué)障礙、語(yǔ)言障礙及精神行為異常等,是引起小兒機(jī)體運(yùn)動(dòng)殘疾的主要疾病之一。

    2022/10/07 更新 分類:熱點(diǎn)事件 分享

  • 剪切響應(yīng)的邊界潤(rùn)滑水凝膠治療骨關(guān)節(jié)炎

    研究人員通過(guò)非共價(jià)相互作用將負(fù)載塞來(lái)昔布(CLX)的陽(yáng)離子脂質(zhì)體分散在透明質(zhì)酸(HA)動(dòng)態(tài)共價(jià)交聯(lián)水凝膠中,從而構(gòu)建了兼具剪切響應(yīng)性邊界潤(rùn)滑作用和抗炎作用的可注射、自愈合水凝膠,并用于骨關(guān)節(jié)炎軟骨損傷修復(fù)。

    2022/11/14 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享