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近日,清華大學(xué)化學(xué)系許華平教授團(tuán)隊(duì)在極紫外(EUV)光刻材料上取得重要進(jìn)展,開(kāi)發(fā)出一種基于聚碲氧烷(Polytelluoxane,PTeO)的新型光刻膠,為先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵材料提供了新的設(shè)計(jì)策略。
2025/07/25 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
由imec和ASML組成的imec-ASML 聯(lián)合High NA實(shí)驗(yàn)室在開(kāi)發(fā)圖案化和蝕刻工藝、篩選新的光刻膠和底層材料、改進(jìn)計(jì)量和光掩模技術(shù)方面取得了進(jìn)展。
2022/05/12 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
本文主要介紹了光刻膠材料于技術(shù)研究進(jìn)展和光刻膠主要生產(chǎn)國(guó)家和地區(qū)概況
2021/07/09 更新 分類:行業(yè)研究 分享
半導(dǎo)體制造EUV極紫外曝光設(shè)備技術(shù)介紹。
2025/11/15 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括:光引發(fā)劑(包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑)、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑。
2020/10/28 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
當(dāng)然,在當(dāng)前國(guó)際政治地緣下,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也面臨著原材料供應(yīng)鏈的不穩(wěn)定性和價(jià)格上漲的風(fēng)險(xiǎn)。未來(lái),中國(guó)光刻膠國(guó)產(chǎn)化之路,既面臨較高的技術(shù)門檻,又有國(guó)產(chǎn)化帶來(lái)的機(jī)遇。
2023/12/12 更新 分類:行業(yè)研究 分享
本文闡述光刻膠在芯片制造中的核心地位、市場(chǎng)格局、技術(shù)壁壘,及中國(guó)企業(yè)的國(guó)產(chǎn)化突圍路徑與政策支持。
2026/01/20 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
近日,日本半導(dǎo)體行業(yè)正在迎來(lái)一個(gè)重要的里程碑,Rapidus公司成為日本首家獲得極紫外(EUV)光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司。
2024/12/23 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
本文回顧了不同光刻膠體系的基本組分、作用原理與技術(shù)特點(diǎn),在此基礎(chǔ)上分析了下一代光刻技術(shù),特別是大分子自組裝和極紫外光刻的技術(shù)特點(diǎn)及其對(duì)相關(guān)材料的挑戰(zhàn)。
2020/07/06 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
北大等團(tuán)隊(duì)首用冷凍電鏡斷層掃描,解析光刻膠顯影微觀行為并提出優(yōu)化方案。
2025/10/27 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享