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本文介紹了IGB模塊原理電路分析,變頻器IGBT模塊檢測(cè)方法及變頻器IGBT模塊的靜態(tài)測(cè)量.

2022/05/21 更新 分類：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文從汽車行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗(yàn)的要求出發(fā)，介紹了汽車級(jí)功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊需要滿足的條件。

2022/08/26 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文通過(guò)介紹IGBT模塊的結(jié)構(gòu)、失效模式等說(shuō)明熱疲 勞是影響IGBT使用壽命的主要因素。

2023/05/12 更新 分類：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文介紹了EMC整改IGBT的EMI機(jī)理與抑制方法分析案例。

2025/05/05 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

本文主要介紹了基于IGBT失效機(jī)理之應(yīng)用技術(shù):器件選用，輸出邏輯可靠性，耦合電流路徑及常見(jiàn)的兩種情況是。

2021/12/23 更新 分類：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文介紹了IGBT芯片工藝流程及老化失效機(jī)理分析。

2022/05/21 更新 分類：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文介紹了新能源汽車核心部件電控IGBT模塊詳解及供應(yīng)商匯總。

2023/01/31 更新 分類：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文將簡(jiǎn)單說(shuō)明如何測(cè)量功耗并計(jì)算二極管和 IGBT 芯片的溫升。

2023/04/26 更新 分類：科研開(kāi)發(fā) 分享

雪崩擊穿參數(shù)是MOS管在關(guān)斷狀態(tài)能承受過(guò)壓能力的指標(biāo)，電壓超過(guò)漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)。

2025/02/22 更新 分類：科研開(kāi)發(fā) 分享

河鋼集團(tuán)鋼研總院和華北理工大學(xué)自主研發(fā)了一款高精度激光誘導(dǎo)擊穿光譜儀，并配置了具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的LIBS高精度定標(biāo)分析軟件。

2023/02/10 更新 分類：科研開(kāi)發(fā) 分享