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分享一種IGBT直流穩(wěn)壓大功率電源設(shè)計(jì)方案
2015/12/17 更新 分類:生產(chǎn)品管 分享
逆變器中使用的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)或IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的選型對(duì)電磁兼容性(EMC)有顯著影響。
2024/06/14 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
本文介紹了IGBT絕緣柵雙極型晶體管的工作原理與構(gòu)造。
2025/04/17 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
本文介紹了固體絕緣材料的擊穿電壓測(cè)試方法
2023/01/31 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
本文對(duì)BEoL階段的與時(shí)間相關(guān)的電介質(zhì)擊穿(TDDB)模型進(jìn)行研究。
2024/10/27 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
MOS管靜態(tài)參數(shù)指標(biāo)包含:漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、開(kāi)啟電壓VTH、漏-源飽和漏電流IDSS、柵-源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流IGSS、導(dǎo)通電阻RDS(on)、柵源擊穿電壓VGS。
2024/11/24 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討,如硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械拈_(kāi)關(guān)損耗,并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開(kāi)關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。
2023/04/02 更新 分類:科研開(kāi)發(fā) 分享
筆者主要概述了LIBS成像技術(shù)在生物及醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的最新進(jìn)展與應(yīng)用研究,同時(shí)對(duì)LIBS成像數(shù)據(jù)處理技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了簡(jiǎn)要探討。
2026/01/09 更新 分類:行業(yè)研究 分享
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)化工作的總體安排,現(xiàn)將申請(qǐng)立項(xiàng)的《電動(dòng)汽車用IGBT模塊環(huán)境試驗(yàn)要求及試驗(yàn)方法》等233項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃項(xiàng)目、《信息技術(shù)辦公設(shè)備 單色激光打印機(jī)及其多功能機(jī)用鼓粉盒頁(yè)
2015/09/13 更新 分類:其他 分享
對(duì)于非功率器件溫度沖擊試驗(yàn)的效果要好很多。但是對(duì)于功率器件(例如功率二極管和IGBT等)則不同,開(kāi)關(guān)循環(huán)的效果更優(yōu),隨著電動(dòng)汽車的興起,IGBT在汽車上廣泛使用,這時(shí)就需要更多的關(guān)注開(kāi)關(guān)循環(huán)試驗(yàn),而不是沿襲溫度沖擊試驗(yàn)的來(lái)傳統(tǒng)了。
2019/09/19 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享