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筆者提出了一種簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)的CF-LIBS儀器響應(yīng)校準(zhǔn)方法,將單通道光纖直接放置在等離子體附近,將等離子體光譜收集到一個(gè)單通道緊湊型光譜儀中,從而消除了光學(xué)透鏡的影響,提高了檢測(cè)靈敏度,然后根據(jù)光纖和感光CCD的響應(yīng)函數(shù)進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn),并在數(shù)據(jù)處理中運(yùn)用譜峰去卷積算法,以解決由較低的分辨率引起的峰值重疊問題。
2025/09/19 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
ASTM D149介電強(qiáng)度檢測(cè)服務(wù),ASTM D149 商業(yè)電力頻率下固體電絕緣材料的介電擊穿電壓和介電強(qiáng)度的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法
2018/09/04 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
變壓器油的例行試驗(yàn)包括擊穿電壓測(cè)量、介質(zhì)損耗因素測(cè)量、含水量、含氣量測(cè)定及溶解氣體氣相色譜分析,本文主要講解變壓器油的含氣量測(cè)量方法。
2019/06/18 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
本文深入探討了采用電源模塊的優(yōu)點(diǎn),容易被忽略的電源模塊設(shè)計(jì)問題,輸出噪音的測(cè)量技術(shù),磁學(xué)的設(shè)計(jì),同步降壓轉(zhuǎn)換器的擊穿現(xiàn)象及可靠性等問題,并分別提出了相關(guān)的解決方案。
2021/07/12 更新 分類:科研開發(fā) 分享
MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電,又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。
2023/11/18 更新 分類:科研開發(fā) 分享
綜合分析確認(rèn),CPLD 芯片的 Bank0 和 Bank1 I/O 區(qū)域發(fā)生了嚴(yán)重的過電擊穿,導(dǎo)致VCCIO0、VCCIO1 及核心 VCC 對(duì)地短路。
2025/06/28 更新 分類:檢測(cè)案例 分享
本項(xiàng)試驗(yàn)的目的測(cè)定元器件和材料在氣壓減小時(shí),由于空氣和其他絕緣材料的絕緣強(qiáng)度減弱抗電擊穿失效的能力。
2019/07/10 更新 分類:科研開發(fā) 分享
新能源汽車電池模組中,高壓電壓可達(dá)690V,而瞬間脈沖可達(dá)800V以上。因此,如果不采用阻燃材料,一旦電壓擊穿或遇高溫,可導(dǎo)致整車漏電或自燃等事故。因此,阻燃材料成為了電池模組的包殼首選。
2022/08/10 更新 分類:科研開發(fā) 分享
一款銘牌標(biāo)稱IPX4防水等級(jí)的足浴足療按摩一體機(jī),在IPX4試驗(yàn)后,出現(xiàn)輸入電極L、N對(duì)足部按摩區(qū)易觸及表面(加強(qiáng)絕緣)電氣強(qiáng)度試驗(yàn)3000V擊穿現(xiàn)象,不符合GB 4706.1-2005和GB 4706.10-2008標(biāo)準(zhǔn)第15.1條款要求。
2022/12/02 更新 分類:科研開發(fā) 分享