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  • 什么是零溫度系數(shù)點ZTC？

    Q: 什么是零溫度系數(shù)點ZTC?

    2025/04/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 晶體管發(fā)展歷程回顧

    今天的芯片包含超過百億個晶體管。本文主要回顧前幾代晶體管的發(fā)展。包括晶體管發(fā)展歷史、MOSFET器件概述、晶體管縮放的驅(qū)動力、傳統(tǒng)縮放的創(chuàng)新等。

    2021/03/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • SiC MOSFET的體二極管的可靠性探討

    本文通過重點分析一篇典型外文文獻來說明SiC mosfet的體二極管的可靠性機理，這個討論并不針對任何一家廠商的產(chǎn)品，僅僅是做技術(shù)上的討論。

    2023/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET與IGBT的區(qū)別

    本文將對一些參數(shù)進行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導通損耗、傳導損耗和關(guān)斷損耗進行描述。

    2023/04/02 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 意法半導體推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET

    意法半導體推出其第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)，在功率效率、功率密度和穩(wěn)健性方面樹立了新的標桿。

    2024/09/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET之零柵壓漏極電流、導通電阻、閾值電壓與結(jié)電容

    本章節(jié)，我們從應用的角度，來看我們選擇一個開關(guān)的器件，當選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關(guān)器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關(guān)鍵參數(shù)。后續(xù)的內(nèi)容，我們再通過微觀結(jié)構(gòu)去理解一下導致這些參數(shù)的原因。先知道是什么樣的，再理解為什么會導致這個樣，更易于幫助大家理解。

    2025/07/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • SiC MOSFET的不同元胞布局對器件UIS特性的影響

    對四種SiC MOSFET的元胞布局（條形、彎曲條形、正方形和六角形）的單脈沖雪崩能量進行測試，進一步對其進行仿真，分析其雪崩能量主要集中于器件哪一個位置，并在此基礎上分析比較四種結(jié)構(gòu)的雪崩能量的分布差異。

    2025/07/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 同步整流MOS驅(qū)動電路在輸出短路狀態(tài)，關(guān)斷的時候會SW節(jié)點振蕩是怎么回事？如何解決？

    當同步整流MOSFET電路的輸出對地短路時，電路進入了一種非常態(tài)的工作模式。那短路狀態(tài)下SW節(jié)點振蕩的機理是怎么樣的呢？請看文章分析。

    2025/08/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 內(nèi)阻很小的MOS管為什么會發(fā)熱

    本文介紹了MOSFET的擊穿有哪幾種，如何處理mos管小電流發(fā)熱嚴重情況，MOS管為什么可以防止電源反接及MOS管功率損耗測量。

    2022/05/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 采用集成FET設計的EMI抑制技術(shù)

    本文主要介紹這些方面的內(nèi)容，專門聚焦于帶有集成功率 MOSFET 和控制器的轉(zhuǎn)換器解決方案，提供抑制 EMI 的實例和應用指導。

    2023/03/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享