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  • 表面貼裝MOSFET產(chǎn)品上線芯片碎裂失效分析

    通過(guò)對(duì)經(jīng)過(guò)SMT工藝試驗(yàn)的產(chǎn)品抽樣進(jìn)行超聲掃描，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品載片區(qū)（PAD）與模塑料之間存在較為嚴(yán)重的離層現(xiàn)象

    2024/02/23 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

  • 逆變器MOS或者IGBT選型對(duì)EMC的影響

    逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的選型對(duì)電磁兼容性（EMC）有顯著影響。

    2024/06/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET雪崩擊穿特性參數(shù)

    雪崩擊穿參數(shù)是MOS管在關(guān)斷狀態(tài)能承受過(guò)壓能力的指標(biāo)，電壓超過(guò)漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)。

    2025/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩引起輻射發(fā)射測(cè)試超標(biāo)案例

    某功率電源產(chǎn)品，在輻射發(fā)射測(cè)試時(shí),發(fā)現(xiàn)160MHz頻點(diǎn)附近超出標(biāo)準(zhǔn)限值。

    2025/02/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET失效分析技術(shù)與案例

    下面我們將系統(tǒng)闡述4類常見(jiàn)ELISA的技術(shù)原理，幫助你快速區(qū)分這幾種方法之間的不同。

    2025/12/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路常見(jiàn)類型

    MOS管根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景不同，驅(qū)動(dòng)電路的類型也較多，主要有IC直接驅(qū)動(dòng)型、推挽輸出電路增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)型、二極管加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)型、三極管加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)型、變壓器加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)（隔離驅(qū)動(dòng)）型。

    2024/12/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 半導(dǎo)體MOSFET中不同節(jié)點(diǎn)下的金屬間距

    當(dāng)晶體管還是平面結(jié)構(gòu)時(shí)，金屬間距仍然是一個(gè)非常重要的測(cè)量值，它指的是集成電路的一個(gè)特定尺寸。然而隨著發(fā)展，在新的 3D 架構(gòu)下，金屬間距已不再重要，因?yàn)橄?5 納米或 3 納米這樣的半導(dǎo)體邏輯節(jié)點(diǎn)不再指代金屬間距的一半。

    2025/08/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器研究獲進(jìn)展

    近日，中國(guó)科學(xué)院金屬研究所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家研究中心與國(guó)內(nèi)多家單位合作，設(shè)計(jì)二維半導(dǎo)體與二維鐵電材料的特殊能帶對(duì)齊方式，將金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首次構(gòu)筑了基于垂直架構(gòu)的門電壓可編程的二維鐵電存儲(chǔ)器。

    2022/11/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享