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本文介紹了功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性。

2025/04/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了什么是MOSFET的安全工作區(qū)。

2025/04/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

MOSFET溫度循環(huán)后芯片表面開裂失效分析。

2025/07/27 更新 分類：檢測案例 分享

本文主要介紹MOSFET結(jié)構(gòu)和基本特性解析

2025/12/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了MOSFET的米勒平臺與米勒振蕩產(chǎn)生機(jī)理。

2025/01/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

超結(jié)MOSFET除傳統(tǒng)平面MOSFET EMC問題產(chǎn)生原因之外，其反向傳輸電容CRSS電容、輸出COSS電容的非線性是高頻寄生振蕩產(chǎn)生的重要原因，也是導(dǎo)致輻射發(fā)射測試不通過的重要因素之一。

2025/02/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文將深入探討MOSFET的失效率內(nèi)涵，并系統(tǒng)性地闡述如何選擇一個優(yōu)秀的MOSFET，為工程師的設(shè)計(jì)工作提供一份堅(jiān)實(shí)的理論依據(jù)與實(shí)踐指南。

2025/12/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了MOSFET的失效機(jī)理：dV/dt失效和雪崩失效

2022/11/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了汽車Si MOSFET與車規(guī)級功率器件AEC-Q101認(rèn)證。

2025/01/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

MOSFET的非理想效應(yīng)(Non-Ideal Effect)-LKJ,DIBL,GIDL。

2025/08/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享