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  • MOSFET主要失效模式、機(jī)理與失效分析案例

    本文將從基本特性出發(fā)，拆解 MOSFET 的失效密碼，結(jié)合真實(shí)案例給出防范方案，為工程師和電子愛好者提供專業(yè)參考。

    2025/11/28 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

  • 詳解大功率電源中MOSFET功耗的計(jì)算

    本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說明了上述概念。

    2023/12/02 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 硅基低壓MOSFET器件漏電失效分析

    本文通過采用熱點(diǎn)分析和聚焦離子束-掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）技術(shù)，提出了一種高效的檢測(cè)手段，用以快速識(shí)別和分析溝槽MOSFET器件在電學(xué)性能和膜層結(jié)構(gòu)上的失效。

    2024/08/21 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

  • 功率MOSFET損壞模式分析

    本文通過功率MOSFET管的工作特性，結(jié)合失效分析圖片中不同的損壞形態(tài)，系統(tǒng)的分析過電流損壞和過電壓損壞，同時(shí)，根據(jù)損壞位置不同，分析功率MOSFET管的失效是發(fā)生在開通的過程中，還是發(fā)生在關(guān)斷的過程中，從而為設(shè)計(jì)工程師提供一些依據(jù)，來找到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一些問題，提高電子系統(tǒng)的可靠性。

    2021/11/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET的失效率與選型

    本文將分為兩大部分，第一部分將深入探討MOSFET的失效率，揭示其背后的物理機(jī)制與統(tǒng)計(jì)意義；第二部分將系統(tǒng)性地闡述如何選擇一個(gè)優(yōu)秀的MOSFET，構(gòu)建一套從參數(shù)到供應(yīng)商的完整選型體系。

    2025/12/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 基于SiC MOSFET 的浪涌可靠性研究

    本文介紹了浪涌測(cè)試及其意義，國(guó)內(nèi)外SiC MOSFET浪涌性能的研究現(xiàn)狀及浪涌測(cè)試原理概述等。

    2023/03/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET管的靜態(tài)參數(shù)

    MOS管靜態(tài)參數(shù)指標(biāo)包含：漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、開啟電壓VTH、漏-源飽和漏電流IDSS、柵-源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流IGSS、導(dǎo)通電阻RDS(on)、柵源擊穿電壓VGS。

    2024/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • HKMG中的各層薄膜介紹及其作用簡(jiǎn)介

    MOSFET 中的金屬柵極堆疊結(jié)構(gòu)通常由多層薄膜組成。每層薄膜都有其特定的作用，共同優(yōu)化晶體管的性能、功耗和可靠性。

    2025/06/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • FinFET 與 MOSFET晶體管性能比較

    本文將詳較FinFET與MOSFET的性能特點(diǎn)，并探討它們?cè)诓煌瑧?yīng)用場(chǎng)景中的適用性。

    2025/07/04 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • BUCK電路自舉電容的計(jì)算選型

    在采用高側(cè)N溝道MOSFET的同步BUCK電路中，自舉電容CBOOT在實(shí)現(xiàn)高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)中是核心器件。

    2025/09/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享