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  • MOS管柵氧擊穿的原理

    本文將圍繞柵氧化層擊穿的成因、特征及失效模型展開探討。

    2025/08/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOS管失效的六大原因

    MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

    2018/10/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 4種方法測試mos管的好壞

    4 種方法測試mos管的好壞。

    2025/07/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 小信號MOS管失效分析案例

    小信號MOS在進行可靠性測試時失效，經(jīng)測試為GS漏電，對故障樣品進行失效分析。

    2024/11/16 更新 分類：檢測案例 分享

  • 開關(guān)電源中MOS管雪崩失效機理

    MOS管發(fā)生雪崩失效與其自身特性有關(guān)。實際的工程應(yīng)用中，功率器件會降額，從而留有足夠的電壓余量。通過增加緩沖吸收電路，進一步避免或延緩其失效的發(fā)生。

    2021/06/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？

    MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。

    2023/11/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 關(guān)于MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻和米勒電容（Qgd）差異對效率的影響

    最近做了一款正激有源鉗位電源，DC48輸入，DC28V輸出，功率200W，頻率100K。下邊分別說說MOS管的差異

    2024/12/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET雪崩擊穿特性參數(shù)

    雪崩擊穿參數(shù)是MOS管在關(guān)斷狀態(tài)能承受過壓能力的指標，電壓超過漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài)。

    2025/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • MOSFET管的靜態(tài)參數(shù)

    MOS管靜態(tài)參數(shù)指標包含：漏-源擊穿電壓V(BR)DSS、開啟電壓VTH、漏-源飽和漏電流IDSS、柵-源驅(qū)動電流或反向電流IGSS、導(dǎo)通電阻RDS(on)、柵源擊穿電壓VGS。

    2024/11/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 深入解析Buck電路：原理要點與器件選型建議

    本文闡釋 Buck 電路的降壓工作原理，詳解控制器芯片、MOS 管等核心器件的選型標準與參數(shù)計算，助力電子電氣設(shè)備電源設(shè)計。

    2026/01/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享