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逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）的選型對(duì)電磁兼容性（EMC）有顯著影響。

2024/06/14 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

利用MoS2/RGO納米復(fù)合材料實(shí)現(xiàn)了水中微污染物Pb(II)的高靈敏、高選擇性檢測(cè)。該工作對(duì)于實(shí)際水樣中重金屬離子的選擇性及準(zhǔn)確檢測(cè)具有重要的科學(xué)意義

2019/03/22 更新 分類(lèi)：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

當(dāng)同步整流MOSFET電路的輸出對(duì)地短路時(shí)，電路進(jìn)入了一種非常態(tài)的工作模式。那短路狀態(tài)下SW節(jié)點(diǎn)振蕩的機(jī)理是怎么樣的呢？請(qǐng)看文章分析。

2025/08/15 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

波形護(hù)欄板的所有部件一般采用熱浸鍍鋅進(jìn)行金屬表面處理，為了保證其防腐性能，需從鍍鋅層附著量、鍍鋅層均勻性和鍍鋅層附著性能三個(gè)方面進(jìn)行檢測(cè)。

2019/08/28 更新 分類(lèi)：檢測(cè)案例 分享

在做雷擊浪涌抗擾度測(cè)試前，通常我們都要檢驗(yàn)下雷擊浪涌模擬器的電壓與電流波形，一般我們會(huì)對(duì)浪涌發(fā)生器主機(jī)和浪涌發(fā)生器耦合去耦網(wǎng)絡(luò)分別進(jìn)行校準(zhǔn)。

2025/06/06 更新 分類(lèi)：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文介紹了雷擊浪涌沖擊抗擾度的測(cè)試位置和測(cè)試波形。

2024/01/10 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文介紹了機(jī)械沖擊試驗(yàn)有哪些波形，沖擊試驗(yàn)依據(jù)哪些標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。

2024/03/19 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文介紹了浪涌沖擊試驗(yàn)測(cè)試等級(jí)、波形、試驗(yàn)方法與結(jié)果評(píng)定。

2024/08/02 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文介紹了如何用靜電電流校準(zhǔn)靶檢驗(yàn)靜電放電發(fā)生器電流波形。

2025/05/13 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

本文介紹了用靜電電流校準(zhǔn)靶檢驗(yàn)靜電放電發(fā)生器電流波形。

2025/06/11 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享