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以Ni60A合金粉末和MoS2粉末為熔覆材料,采用激光熔覆技術(shù)在35CrMnSi鋼基體表面制備MoS2/Ni60A固體自潤滑涂層,研究了MoS2添加量(質(zhì)量分?jǐn)?shù)1%,3%,5%,7%,9%)對涂層物相組成、顯微組織、顯微硬度和摩擦磨損性能的影響。
2023/01/11 更新 分類:科研開發(fā) 分享
從最基本的理論講起逐步講解ESD保護(hù)的原理及注意點(diǎn), 你會發(fā)現(xiàn)前面講的PN結(jié)/二極管、三極管、MOS管、全都用上了
2019/12/23 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
MOS管根據(jù)應(yīng)用場景不同,驅(qū)動電路的類型也較多,主要有IC直接驅(qū)動型、推挽輸出電路增強(qiáng)驅(qū)動型、二極管加速關(guān)斷驅(qū)動型、三極管加速關(guān)斷驅(qū)動型、變壓器加速關(guān)斷驅(qū)動(隔離驅(qū)動)型。
2024/12/22 更新 分類:科研開發(fā) 分享
關(guān)于功率MOS的幾點(diǎn)電壓結(jié)溫特性。
2025/07/13 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文將從結(jié)構(gòu)原理、工藝特性、優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用領(lǐng)域等方面,深入比較這三種電容的差異。
2025/11/09 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文介紹了P型半導(dǎo)體的MOS電容器典型的電容-電壓特性。
2025/02/11 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文主要介紹了HA/ MoS2-Ti6的表征及抗菌性能,活化細(xì)菌死亡,從細(xì)菌中提取電子以改變代謝,促進(jìn)骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞成骨分化及在體內(nèi)的骨整合。
2021/11/29 更新 分類:科研開發(fā) 分享
北京大學(xué)等研究員團(tuán)隊(duì)報(bào)告了一種界面外延方法,用于幾種組合物的生長,包括二硫化鉬(MoS2),二硒化鉬,二硫化鎢,二硒化鎢,二硫化鈮,二硒化鈮和亞硒化鉬。
2024/07/29 更新 分類:科研開發(fā) 分享
體偏壓是一把“雙刃劍”。它為現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)提供了在性能和功耗之間動態(tài)優(yōu)化的強(qiáng)大工具,但設(shè)計(jì)者必須仔細(xì)評估并緩解其帶來的可靠性風(fēng)險(xiǎn),如熱載流子效應(yīng)、BTI以及設(shè)計(jì)復(fù)雜性等,才能確保芯片在整個(gè)生命周期內(nèi)的穩(wěn)定可靠。
2025/08/18 更新 分類:實(shí)驗(yàn)管理 分享
本文介紹了超聲檢測中常見缺陷的波形。
2024/07/10 更新 分類:科研開發(fā) 分享