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半導體中的PFAS及替代方案
接下來讓我們了解一下半導體中的PFAS及可替代情況。

2024/01/16 更新分類：法規(guī)標準分享
功率半導體動態(tài)柵極應(yīng)力測試方法
本文介紹了使用動態(tài)柵極應(yīng)力(Dynamic Gate Stress, DGS)測試過程對基于SiC的功率半導體進行新型可靠性測試的意義。

2024/03/20 更新分類：科研開發(fā) 分享
中國半導體產(chǎn)業(yè)，將躍居全球第一
展望未來，預計中國的半導體產(chǎn)能份額將逐步增加，并有可能在2026年成為按國家/地區(qū)劃分的最大份額。

2024/05/13 更新分類：行業(yè)研究分享
半導體放電管的工作原理與主要電氣參數(shù)
本文介紹了半導體放電管的工作原理與主要電氣參數(shù)。

2024/08/01 更新分類：科研開發(fā) 分享
半導體FEoL階段的非易失性存儲器數(shù)據(jù)保持模型研究
本文介紹了半導體FEoL階段的非易失性存儲器數(shù)據(jù)保持模型研究。

2024/10/18 更新分類：科研開發(fā) 分享
半導體器件FEoL階段的局部電荷捕獲非易失性存儲器數(shù)據(jù)保持模型研究?
本文介紹了半導體器件FEoL階段的局部電荷捕獲非易失性存儲器數(shù)據(jù)保持模型研究。

2024/10/20 更新分類：科研開發(fā) 分享
半導體制造領(lǐng)域中粒子缺陷（Particle Defect）的成因、影響及檢測方法
本文介紹了半導體制造領(lǐng)域中粒子缺陷（Particle Defect）的成因、影響及檢測方法。

2024/11/01 更新分類：科研開發(fā) 分享
半導體失效之銅電遷移（Cu EM）模型研究
本文介紹了半導體失效之銅電遷移（Cu EM）模型研究。

2024/11/03 更新分類：科研開發(fā) 分享
半導體器件鋁和銅腐蝕失效機理和模型
本文介紹了半導體器件鋁和銅腐蝕失效機理和模型。

2024/11/13 更新分類：科研開發(fā) 分享
半導體器件銅應(yīng)力遷移失效機理和模型
本文介紹了半導體器件銅應(yīng)力遷移失效機理和模型。

2024/11/20 更新分類：科研開發(fā) 分享

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