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作者以含珠光體組織的HRB600熱軋帶肋高強鋼筋為研究對象，研究了電解液濃度和電解電壓對電解拋光后試樣納米壓痕測試結果的影響。

2024/07/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

從傳感材料熱致響應特性角度出發(fā)，探討了電阻型和電壓型涂層的火災預警機制，闡釋了涂層的3種防火機理。

2024/07/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

TVS(Transient Voltage Suppressors，瞬態(tài)電壓抑制器)又稱雪崩擊穿二極管，是一種高效電路保護器件，主要是保護電路不受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖(靜電或雷擊浪涌)的沖擊。

2024/07/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

在EMC整改過程中，RC snubber電路（也稱為RC吸收電路）常用于抑制開關器件的電壓尖峰和高頻振蕩，進而改善電路的電磁兼容性。

2024/08/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文作者從軟包裝鋰離子電池鋁塑膜腐蝕機理出發(fā)，比較邊電壓和邊電阻測試篩選控制腐蝕的可靠性、可行性，并給出腐蝕最優(yōu)控制條件。

2024/10/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文作者通過變溫試驗艙模擬低溫擱置環(huán)境，測試電池容量保持率、庫侖效率、電化學阻抗譜(EIS)、充放電曲線、容量增量及微分電壓曲線等特性參數(shù)。

2024/11/06 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了反激電路中TL431光耦反饋參數(shù)計算。

2025/04/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

壓敏電阻最重要的幾個參數(shù)包括：壓敏電壓、通流容量、結電容、響應時間等。

2025/05/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享

HTOL (High-Temperature Operating Life) 即高溫壽命測試，通過溫度、電壓激活失效機制來評估芯片可靠性的測試方法。

2025/05/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

與體硅 CMOS 相比，F(xiàn)inFET 器件在抑制短溝道效應、降低能耗、提升電源電壓可擴展性以及提高導通/關斷電流比方面均表現(xiàn)更優(yōu)。

2025/08/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享