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MOSFET 中的金屬柵極堆疊結(jié)構(gòu)通常由多層薄膜組成。每層薄膜都有其特定的作用，共同優(yōu)化晶體管的性能、功耗和可靠性。

2025/06/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

純銅線無法克服其極易氧化的致命缺陷，導(dǎo)致鍵合工藝容易出現(xiàn)批次波動、可靠性極差。鍍鈀層是解決這一核心問題的關(guān)鍵技術(shù)和必要手段。

2025/06/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文結(jié)合《醫(yī)療器械監(jiān)督管理?xiàng)l例》及技術(shù)指南，逐層解析問題根源與應(yīng)對策略。

2025/07/07 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

鐵氧體磁珠: 使用鎳鋅鐵氧體材料建造多層構(gòu)造的技術(shù)，主要應(yīng)用在EMC領(lǐng)域。

2025/08/12 更新 分類：科研開發(fā) 分享

介紹電子產(chǎn)品可靠性設(shè)計的簡化原則，介紹其在多層面應(yīng)用、價值，分析挑戰(zhàn)并展望未來趨勢。

2025/10/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文從層數(shù)設(shè)計和層的布局兩方面論述了如何減少耦合源傳播途徑等方面減少傳導(dǎo)耦合與輻射耦合所引起的電磁干擾，提高電磁兼容性。

2025/12/04 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文將從六大觀察項(xiàng)出發(fā)，逐層剖析無菌制藥背后的合規(guī)隱患與產(chǎn)業(yè)警示。

2025/12/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享

半導(dǎo)體制造工藝波動可被拆成三層，局部工藝不匹配、全局工藝不匹配。

2025/12/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

化學(xué)氣相淀積，簡稱CVD，它是通過氣體混合的化學(xué)反應(yīng)的方式在硅片表面淀積一層固體薄膜的工藝。

2025/12/21 更新 分類：生產(chǎn)品管 分享

本文講解 PCB 高速信號布線 EMC 要點(diǎn)，含開槽、回流、轉(zhuǎn)角、微帶線、換層的設(shè)計要求與問題解決。

2026/01/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享