您當(dāng)前的位置:檢測預(yù)警 > 欄目首頁
對元器件造成損傷的主要是三種模式,即帶點(diǎn)人體的靜電放電模式、帶電機(jī)器的放電模式和充電器件的放電模式。
2023/05/29 更新 分類:科研開發(fā) 分享
靜電放電(ESD)是一種可嚴(yán)重影響電子醫(yī)療器械的問題,會導(dǎo)致微電子元件故障和損壞。
2023/07/18 更新 分類:科研開發(fā) 分享
降額設(shè)計(jì)的定義:設(shè)計(jì)時(shí)元器件或設(shè)備工作時(shí)承受的工作應(yīng)力適當(dāng)?shù)陀谠骷蛘咴O(shè)備規(guī)定的額定值,從而達(dá)到降低基本失效率,提高使用可靠性的目的。
2023/10/16 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文介紹了為什么去耦電容要靠近用電器件的電源管腳。
2023/12/27 更新 分類:科研開發(fā) 分享
高速的印制線或器件與參考接地板之間的容性耦合,會產(chǎn)生EMI問題,敏感印制線或器件布置在PCB邊緣會產(chǎn)生抗擾度問題。
2024/05/23 更新 分類:檢測案例 分享
本文介紹了半導(dǎo)體器件FEoL階段的局部電荷捕獲非易失性存儲器數(shù)據(jù)保持模型研究。
2024/10/20 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文對因溫度循環(huán)和熱沖擊導(dǎo)致的疲勞失效模型進(jìn)行研究
2024/11/22 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文對因溫度循環(huán)和熱沖擊導(dǎo)致的界面失效模型進(jìn)行研究
2024/11/22 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文對因高溫導(dǎo)致的金屬間化合物和氧化失效模型進(jìn)行研究
2024/11/24 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文主要介紹防浪涌電路中的元器件之TSS以及一些常用的電路。
2024/12/01 更新 分類:科研開發(fā) 分享