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DRAM 歷史、挑戰(zhàn)及機(jī)遇——結(jié)構(gòu)&讀取原理

2025/12/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文闡釋 DRAM Retention 定義、影響因素、漏電機(jī)理，含免責(zé)聲明與參考文獻(xiàn)。

2025/12/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

一個典型的 DRAM 芯片通常包含三個主要區(qū)域：Array, Core, Peri。

2025/05/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹了DRAM的基本構(gòu)造、控制電路的堆疊創(chuàng)新及3D DRAM的行業(yè)意義。

2025/05/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定的全球領(lǐng)導(dǎo)者JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會今天宣布發(fā)布備受期待的高帶寬存儲器 (HBM) DRAM 標(biāo)準(zhǔn)：HBM4。

2025/04/17 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）中需要電容器主要有以下原因。

2025/05/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

先進(jìn)封裝中的混合鍵合技術(shù)：CIS/NAND/DRAM/Logic/Advanced package。

2025/09/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享