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從最基本的理論講起逐步講解ESD保護的原理及注意點， 你會發(fā)現(xiàn)前面講的PN結/二極管、三極管、MOS管、全都用上了
2019/12/23 更新 分類：法規(guī)標準 分享
MOS管根據(jù)應用場景不同，驅動電路的類型也較多，主要有IC直接驅動型、推挽輸出電路增強驅動型、二極管加速關斷驅動型、三極管加速關斷驅動型、變壓器加速關斷驅動（隔離驅動）型。
2024/12/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享
以Ni60A合金粉末和MoS2粉末為熔覆材料，采用激光熔覆技術在35CrMnSi鋼基體表面制備MoS2/Ni60A固體自潤滑涂層，研究了MoS2添加量(質量分數(shù)1%，3%，5%，7%，9%)對涂層物相組成、顯微組織、顯微硬度和摩擦磨損性能的影響。
2023/01/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享
關于功率MOS的幾點電壓結溫特性。
2025/07/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文將從結構原理、工藝特性、優(yōu)缺點及應用領域等方面，深入比較這三種電容的差異。
2025/11/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文介紹了P型半導體的MOS電容器典型的電容-電壓特性。
2025/02/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文主要介紹了HA/ MoS2-Ti6的表征及抗菌性能，活化細菌死亡，從細菌中提取電子以改變代謝，促進骨髓間充質干細胞成骨分化及在體內(nèi)的骨整合。
2021/11/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享
北京大學等研究員團隊報告了一種界面外延方法，用于幾種組合物的生長，包括二硫化鉬(MoS2)，二硒化鉬，二硫化鎢，二硒化鎢，二硫化鈮，二硒化鈮和亞硒化鉬。
2024/07/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享
體偏壓是一把“雙刃劍”。它為現(xiàn)代集成電路設計提供了在性能和功耗之間動態(tài)優(yōu)化的強大工具，但設計者必須仔細評估并緩解其帶來的可靠性風險，如熱載流子效應、BTI以及設計復雜性等，才能確保芯片在整個生命周期內(nèi)的穩(wěn)定可靠。
2025/08/18 更新 分類：實驗管理 分享
中國RoHS管控將全面升級
2022/03/17 更新 分類：法規(guī)標準 分享
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