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套刻誤差是光刻工藝中最重要的概念之一，什么是套刻誤差呢？

2025/05/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

北大等團隊首用冷凍電鏡斷層掃描，解析光刻膠顯影微觀行為并提出優(yōu)化方案。

2025/10/27 更新 分類：科研開發(fā) 分享

光刻?國產(chǎn)化不僅具有重要的戰(zhàn)略意義，還蘊含著巨?的經(jīng)濟價值，是保障我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈安全的關鍵?環(huán)。

2025/12/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文闡述光刻膠在芯片制造中的核心地位、市場格局、技術壁壘，及中國企業(yè)的國產(chǎn)化突圍路徑與政策支持。

2026/01/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

由imec和ASML組成的imec-ASML 聯(lián)合High NA實驗室在開發(fā)圖案化和蝕刻工藝、篩選新的光刻膠和底層材料、改進計量和光掩模技術方面取得了進展。

2022/05/12 更新 分類：科研開發(fā) 分享

最新消息，近日佳能（Canon）發(fā)布了一個名為 FPA-1200NZ2C 的納米壓印半導體制造設備，號稱通過納米壓印光刻（NIL）技術實現(xiàn)了目前最先進的半導體工藝。

2023/10/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

華中科技大學研發(fā)的T150A光刻膠系列產(chǎn)品已通過半導體工藝量產(chǎn)驗證，實現(xiàn)了原材料全部國產(chǎn)配方全自主設計，有望開創(chuàng)國內半導體光刻制造新局面

2024/11/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，清華大學化學系許華平教授團隊在極紫外（EUV）光刻材料上取得重要進展，開發(fā)出一種基于聚碲氧烷（Polytelluoxane,PTeO）的新型光刻膠，為先進半導體制造中的關鍵材料提供了新的設計策略。

2025/07/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

美國政府加強了對人工智能芯片技術以及高速HBM存儲器的出口管制。

2024/12/03 更新 分類：監(jiān)管召回 分享

近日，日本半導體行業(yè)正在迎來一個重要的里程碑，Rapidus公司成為日本首家獲得極紫外(EUV)光刻設備的半導體公司。

2024/12/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享