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對(duì)半導(dǎo)體晶圓在濕法清洗工藝中可能導(dǎo)致的各種缺陷成因進(jìn)行分析，并對(duì)缺陷的處理方式做了簡(jiǎn)要探討。

2024/10/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

半導(dǎo)體零部件之晶圓塑料載具的釋氣性評(píng)價(jià)方法。

2025/07/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文將深入探討晶圓裂紋的類型、檢測(cè)方法及預(yù)防策略。

2025/09/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

氧化工藝：晶圓的保護(hù)膜和絕緣膜

2025/12/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文詳述晶圓鍵合原理、分類、襯底影響及鍵合力控制，探討工藝優(yōu)化與仿真應(yīng)用。

2025/12/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

極化ATR-FTIR光譜學(xué)已成為所有類型聚合物的流行分析技術(shù)。該技術(shù)非常適合分析諸如聚合物鏈取向和弛豫等特性，提供了可以將聚合物結(jié)構(gòu)形態(tài)與質(zhì)量聯(lián)系起來的適當(dāng)數(shù)據(jù)。極化FTIR快速且易分析，并且可以提供有關(guān)聚合物微結(jié)構(gòu)與性能之間關(guān)系的大量信息數(shù)據(jù)。

2020/08/29 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

今天，英特爾舉辦了晶圓代工大會(huì)，會(huì)上公司指出，正在與主要客戶洽談即將推出的14A工藝節(jié)點(diǎn)（相當(dāng)于1.4納米），該節(jié)點(diǎn)是18A工藝節(jié)點(diǎn)的后續(xù)產(chǎn)品。

2025/04/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

在半導(dǎo)體制造中，晶圓（Wafer）邊緣（Edge）的 Die 與中心（Center）的 Die 在性能、良率和可靠性上存在顯著差異。這些差異主要源于制造過程中的物理效應(yīng)、工藝均勻性、熱應(yīng)力和光刻/刻蝕非均勻性等因素。

2025/09/06 更新 分類：科研開發(fā) 分享

美國(guó)能源部（ DOE ）發(fā)布公告，修訂了集成發(fā)光二極管燈（ LED ）測(cè)試程序的技術(shù)法案。 技術(shù)法案對(duì)采用集成發(fā)光的二極管燈（ LED ）的測(cè)試程序做了部分修訂。

2016/09/01 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

發(fā)光強(qiáng)度的基本單位坎德拉是國(guó)際單位制(SI)七個(gè)基本單位之一，用符號(hào)“cd ”表示。

2018/10/31 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享