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  • 半導(dǎo)體的ESD失效特性及防護(hù)能力影響

    自然界中充斥著靜電。對于集成電路行業(yè)，每一顆芯片從最開始的生產(chǎn)制造過程、封裝過程、測試過程、運(yùn)輸過程到最終的元器件的焊接、組裝、使用過程，幾乎時(shí)刻都伴隨著靜電，在任何一個(gè)環(huán)節(jié)靜電都有可能對芯片造成損傷。

    2022/07/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 軟包鋰離子電池鼓脹原因超全總結(jié)

    引起軟包鋰離子電池鼓脹的原因有很多。根據(jù)實(shí)驗(yàn)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，筆者將鋰電池鼓脹的原因分為三類，一是電池極片在循環(huán)過程中膨脹導(dǎo)致的厚度增加；二是由于電解液氧化分解產(chǎn)氣導(dǎo)致的鼓脹。三是電池封裝不嚴(yán)引進(jìn)水分、角位破損等工藝缺陷引起的鼓脹

    2022/11/28 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

  • 用于可穿戴顯示器的OLED纖維紡織品

    韓國國立國民大學(xué)Sung-Min Lee課題組提出了一種纖維狀的OLED紡織品顯示器，通過實(shí)現(xiàn)由集成磷光OLED纖維組成的可尋址網(wǎng)絡(luò)和設(shè)計(jì)多層封裝，可以實(shí)現(xiàn)大的發(fā)射面積和長期穩(wěn)定性。

    2023/02/07 更新 分類：熱點(diǎn)事件 分享

  • 電光太赫茲脈沖反射計(jì)在芯片失效分析中的應(yīng)用

    本文基于NVIDIA工程師在ISTFA 2023上發(fā)表的權(quán)威論文，深度剖析了電光太赫茲脈沖反射計(jì)（EOTPR）這一前沿技術(shù)，如何被整合到芯片級FA工作流程中，并通過幾個(gè)真實(shí)的GPU失效案例，展示了EOTPR在解決復(fù)雜封裝和芯片內(nèi)部故障中的獨(dú)特價(jià)值和高效性。

    2025/11/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 導(dǎo)熱膠帶在5G等微型電子設(shè)備的熱管理應(yīng)用

    隨著集成技術(shù)和微電子封裝技術(shù)的發(fā)展，電子元器件的總功率密度不斷增長，而電子元器件和電子設(shè)備的物理尺寸卻逐漸趨向于小型、微型化，特別是5G技術(shù)的落定。所產(chǎn)生的熱量迅速積累，導(dǎo)致集成器件周圍的熱流密度也在增加，所以，高溫環(huán)境必將會影響到電子元器件和設(shè)備的性能，這就需要更加高效的熱控制方案。因此，電子元器件、電子設(shè)備的散熱問題已演變成為當(dāng)前電

    2021/01/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 高分子材料的導(dǎo)熱方法

    導(dǎo)熱高分子復(fù)合材料有導(dǎo)熱塑料、導(dǎo)熱橡膠、導(dǎo)熱膠粘劑等，作為當(dāng)今重要的熱管理材料，在變壓器電感、電子元器件散熱、特種電纜、電子封裝、導(dǎo)熱灌封等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。然而，事實(shí)上，一般純的高分子材料都是熱的不良導(dǎo)體，其導(dǎo)熱系數(shù)一般都低于 0.5 W/(mK)，那么，高分子材料是如何實(shí)現(xiàn)導(dǎo)熱性能的呢？下面我們就來一起了解一下。

    2022/03/09 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 鈷塊鍍鎳層金相檢驗(yàn)試樣制備方法

    鈷棒中的Co-59在反應(yīng)堆運(yùn)行時(shí)吸收中子，生成具有一定比活度的Co-60放射源，可作為醫(yī)療和工業(yè)用輻照源。鈷塊電鍍是鈷調(diào)節(jié)棒組件試制項(xiàng)目中的核心部分，是在燒結(jié)鈷塊表面均勻地鍍上一定厚度的鎳層，可起到防腐蝕、防污染等效果，在Co-60的封裝和使用中具有重要意義。

    2022/09/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享