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本文旨在避免焊點(diǎn)脆裂，并使表面金鍍層和表面鍍鈀層在焊接和導(dǎo)線鍵合過(guò)程中的使用變得簡(jiǎn)單方便起來(lái)。
2022/05/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享
在采用高效液相色譜進(jìn)行分析方法開發(fā)時(shí)，色譜柱的選擇至關(guān)重要，色譜柱的鍵合基質(zhì)及鍵合相等對(duì)于化合物的分離非常重要，本文對(duì)其相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行簡(jiǎn)述，以期為方法開發(fā)色譜柱的選擇提供思路。
2024/07/27 更新 分類：實(shí)驗(yàn)管理 分享
各個(gè)鍵合相色譜柱的柱效測(cè)定方法。
2025/11/26 更新 分類：實(shí)驗(yàn)管理 分享
半導(dǎo)體器件中的鍵合工藝材料主要采用Au、Al、Cu及Ag四種金屬作為引線，從而實(shí)現(xiàn)芯片與引出端的電氣互聯(lián)
2018/08/20 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
在4種維生素E異構(gòu)體測(cè)試過(guò)程中，該如何進(jìn)行鍵合相的選擇，是否遇到過(guò)β-生育酚和γ-生育酚分離不理想、峰形差、柱壓高等問(wèn)題，面臨這些問(wèn)題，我們?cè)撊绾闻挪楹徒鉀Q，本文給出答案。
2021/04/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文基于常規(guī)錫膏回流焊接工藝并開發(fā)導(dǎo)入新的二次回流工藝來(lái)改善焊接空洞，解決焊接空洞引起的鍵合、塑封裂損等問(wèn)題。
2021/11/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享
芯片封裝綁線設(shè)計(jì)： 1.金線的選擇，2. 芯片pad設(shè)計(jì)規(guī)則；WB工藝主要從：工藝，主要參數(shù)對(duì)鍵合的影響，劈刀的選型，打線可靠性標(biāo)準(zhǔn)，線弧設(shè)計(jì)，常見(jiàn)不良及原因分析和如何提升打線效率幾個(gè)方面。
2021/06/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文對(duì)芯片異常、鍵合內(nèi)引線異常、塑封應(yīng)力大、芯片表面刮花和變形、固晶生產(chǎn)工藝缺陷、芯片本身缺陷以及靜電引起的漏電問(wèn)題進(jìn)行了全面地分析和闡述，并根據(jù)多年的工作經(jīng)驗(yàn)總結(jié)出了一些切實(shí)可行的解決辦法。
2022/02/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享
本文為確定半導(dǎo)體器件在特定條件下是否符合規(guī)定的周期數(shù)，在器件反復(fù)開啟和關(guān)閉的條件下，它加速了器件的芯片和安裝面之間的所有鍵合和接口的應(yīng)力，因此較適合用于管殼安裝類型（例如螺柱、法蘭和圓盤）器件。
2022/02/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享
半導(dǎo)體集成電路引線鍵合是集成電路封裝中一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，引線鍵合的好壞直接影響到電路使用后的穩(wěn)定性和可靠性。隨著整機(jī)對(duì)電路可靠性要求的提高引線鍵合不再是簡(jiǎn)單意義上的芯片與管殼鍵合點(diǎn)的連接，而是要通過(guò)這種連接，確保在承受高的機(jī)械沖擊時(shí)的抗擊能力。
2022/04/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享
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