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  • 三星發(fā)布首款2nm手機(jī)芯片

    三星電子正式發(fā)布了其新一代旗艦移動處理器Exynos 2600

    2025/12/23 更新 分類：行業(yè)研究 分享

  • 剛剛，佳能發(fā)布新型2nm光刻機(jī)

    最新消息，近日佳能（Canon）發(fā)布了一個(gè)名為 FPA-1200NZ2C 的納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，號稱通過納米壓印光刻（NIL）技術(shù)實(shí)現(xiàn)了目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。

    2023/10/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 日本入局 1nm芯片研發(fā)！

    據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，Rapidus計(jì)劃在2025年制造出2納米芯片，2027年制造出1納米芯片。

    2023/11/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 臺積電：2nm CMOS納米片工藝的38.1Mb/mm2 高密度SRAM設(shè)計(jì)

    本文是臺積電(TSMC)存儲器IP開發(fā)總監(jiān)Tsung-Yung Jonathan Chang博士在2025年第72屆國際固態(tài)電路會議(ISSCC)SRAM專題會議上發(fā)表的題為《A 38.1Mb/mm2 SRAM in a 2nm-CMOS-Nanosheet Technology for High-Density and Energy-Efficient Compute》的演講。

    2025/07/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 臺積電將于2025年Q4生產(chǎn)2納米芯片

    據(jù)最新消息報(bào)道，臺積電將于 2025 年第四季度在位于新竹的 Fab 20 工廠開始生產(chǎn)基于 2nm GAA 的晶圓.

    2024/11/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 半導(dǎo)體，要進(jìn)入1nm以下時(shí)代了

    美國英特爾正在加緊開發(fā)尖端半導(dǎo)體「Intel 20A」。20A中的A意為「埃米（angstrom）」。埃米是表示1納米的10分之1的長度單位，20A指2納米。

    2023/12/04 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 1nm后的芯片發(fā)展趨勢

    本文介紹了1nm后的芯片發(fā)展趨勢。

    2023/11/23 更新 分類：行業(yè)研究 分享

  • 多維度解讀藥物分析方法學(xué)驗(yàn)證中的耐用性試驗(yàn)

    分析用儀器雖然經(jīng)過校正，但允許存在一定的誤差，如紫外檢測器波長允許±1 nm，柱溫允許±1 ℃~2 ℃等，分析方法沒有規(guī)定一定要在驗(yàn)證方法儀器上測定，是所有經(jīng)過校正合格的儀器上都能適用。耐用性還要發(fā)現(xiàn)方法的風(fēng)險(xiǎn)點(diǎn)，為以后日常測定出現(xiàn)異常提供一些參考的信息。

    2022/05/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 三星發(fā)布首款3nm可穿戴設(shè)備芯片“Exynos W1000”

    三星公布了首款3nm可穿戴設(shè)備芯片“Exynos W1000”，這款芯片采用了三星的3nm GAA工藝制造，預(yù)計(jì)將應(yīng)用于即將推出的Galaxy Watch 7和Galaxy Watch Ultra智能手表。

    2024/07/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 能生產(chǎn)3nm！中國成功研發(fā)全新DUV光刻：完全不同于ASML

    3月25日消息，據(jù)悉，中國科學(xué)院成功研發(fā)除了突破性的固態(tài)DUV(深紫外)激光，可發(fā)射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至3nm。

    2025/03/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享