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  • 鎂合金力學強度與耐蝕性協同提升研究獲進展

    高強高耐蝕鎂合金材料研究取得進展??蒲腥藛T在AZ80鎂合金中制備出平均片層厚度約為200 nm的高密度孿晶組織,使平均晶粒尺寸從初始材料的33 mm左右細化至300 nm,其抗拉強度高達469 MPa,是目前已報道該系列鎂合金中強度最高的。

    2021/08/17 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 不同粒徑軟磁顆粒摻雜磁敏彈性體的磁致電導特性

    以磁化硅橡膠為基體,在有磁場和無磁場條件下制備了多種組分微米級(粒徑5~8μm)和亞微米級(粒徑200nm)軟磁顆粒摻雜的磁敏彈性體(MSE)試樣,通過電導試驗裝置和磁致電導測試系統研究了不同MSE試樣的磁致電導特性,探究磁致電導機理。

    2022/03/28 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • A14工藝對大陸算力芯片和車規(guī)芯片的影響

    2025年4月24日,TSMC在美國舉辦的2025年技術研討會上正式宣布其A14工藝將于2028年量產的消息。這一技術突破標志著全球半導體行業(yè)正式邁入1.4nm時代,HPC和AI領域產生了深遠影響.

    2025/04/26 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 影響鈉離子電池正極性能的關鍵因素—錳鐵比例、分布均勻性、電子電導率

    本研究通過共沉淀聯合高溫固相法成功制備了具有優(yōu)化的錳鐵比例、均勻的錳鐵分布和提升的電子導電性的NM1.7FPP/C-CNT鈉離子電池正極材料,并揭示了在Na+脫嵌過程中不完美的固溶體反應以及Mn和Fe的價態(tài)變化過程。

    2025/05/06 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 日本開發(fā)1.4nm級納米壓印光刻掩膜版

    大日本印刷株式會社(DNP)于12月9日宣布成功開發(fā)出具有10納米電路線寬的納米壓印光刻(NIL)掩膜版,該技術可用于制造等同于1.4納米級別的邏輯半導體,滿足智能手機、數據中心和NAND閃存等尖端設備對芯片微型化的迫切需求。

    2025/12/19 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • X-RAY檢測方法簡介

    X射線是一種波長很短的電磁波,波長范圍為0.0006一80nm,具有很強的穿透力,能穿透一般可見光不能穿透的各種不同密度的物質。

    2016/01/27 更新 分類:實驗管理 分享

  • 218項國家標準樣品批準發(fā)布

    質檢總局、國標委批準《表面等離激元共振峰位于800nm的單晶金納米棒標準樣品》等218項國家標準樣品

    2016/07/19 更新 分類:法規(guī)標準 分享

  • 國標委批準發(fā)布218項國家標準樣品

    國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局、國家標準化管理委員會批準《表面等離激元共振峰位于800nm的單晶金納米棒標準樣品》等218項國家標準樣品

    2016/07/06 更新 分類:實驗管理 分享

  • 紫外分光光度計最常見故障及維修辦法

    紫外-可見分光光度法是在190~800nm波長范圍內測定物質的吸光度,用于鑒別、雜質檢查和定量測定的方法。它的應用領域涉及制藥、醫(yī)療衛(wèi)生、化學化工、環(huán)保、地質、機械、冶金、石油、食品、生物、材料、計量科學、農業(yè)、林業(yè)、漁業(yè)等領域中的科研、教學等各個方面,用來進行定性分析、純度檢查、結構分析、絡合物組成及穩(wěn)定常數的測定、反應動力學研究等。

    2023/03/23 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 高性能全固態(tài)電池無鈷層狀正極中鋰擴散動力學調控

    本研究通過微結構工程成功設計了一種高性能無鈷、富鎳層狀正極材料(ME-NM90),其核心優(yōu)勢包括:徑向排列的棒狀初級顆??s短了鋰離子擴散路徑,顯著降低動力學遲滯并提升倍率性能(4.0 C下容量保持率達53%);增強的機械穩(wěn)定性有效抑制微裂紋形成,循環(huán)壽命大幅延長(400次循環(huán)后容量保持率80.4%);均勻的鋰分布和減少的高壓區(qū)暴露時間降低了硫化物電解質的界面副反應

    2025/07/15 更新 分類:科研開發(fā) 分享