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解析全球三巨頭 2nm 半導(dǎo)體工藝格局、技術(shù)路線與趨勢，分析國內(nèi)差距、優(yōu)勢及突圍路徑。

2025/11/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享

臺積電首次公開2nm工藝的關(guān)鍵技術(shù)細(xì)節(jié)和性能指標(biāo)

2024/12/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

Geoffrey Yeap 博士于周一在 IEDM 上展示了2nm 平臺技術(shù)，該技術(shù)采用節(jié)能納米片晶體管和互連，并與 3DIC 共同優(yōu)化，適用于 AI、HPC 和移動 SoC 應(yīng)用。

2024/12/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，有消息稱，ASML將于未來幾個月內(nèi)推出用于2nm制程節(jié)點(diǎn)的芯片制造設(shè)備，將數(shù)值孔徑（NA）光學(xué)性能從0.33提高到0.55。

2023/12/21 更新 分類：科研開發(fā) 分享

2024年4月，臺積電在北美技術(shù)研討會上正式宣布了名為“A16”的1.6納米工藝技術(shù)，并計劃于2026年下半年開始量產(chǎn)。

2024/11/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

由廣州合成材料研究院老化試驗(yàn)設(shè)備研究所研制的“氙燈校準(zhǔn)儀”近日研發(fā)成功并生產(chǎn)出樣機(jī)，經(jīng)過中國計量科學(xué)研究院校準(zhǔn)并出具校準(zhǔn)證書，其校準(zhǔn)光源溯源至國家2號氙燈基準(zhǔn)燈組，校準(zhǔn)結(jié)果：在340nm、420nm及300-400nm上與標(biāo)準(zhǔn)值差異均為0.01。

2016/04/26 更新 分類：檢測機(jī)構(gòu) 分享

本文講述3nm、5nm、7nm、10nm、14nm等不同制程的區(qū)別。

2025/10/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

0.2nm 將到來，最新芯片路線圖發(fā)布

2025/12/30 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

臺積電(TSMC)提出了一種基于2nm CMOS納米片工藝的38.1Mb/mm2 高密度SRAM設(shè)計,用于高密度與高能效計算應(yīng)用。

2025/05/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，日本半導(dǎo)體行業(yè)正在迎來一個重要的里程碑，Rapidus公司成為日本首家獲得極紫外(EUV)光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司。

2024/12/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享