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  • 光刻工藝介紹及缺陷來(lái)源分析

    本文首先介紹光刻和電子束曝光的基本工藝流程，之后對(duì)工藝過(guò)程中缺陷來(lái)源進(jìn)行分析。

    2022/07/27 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • ASML光刻機(jī)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記alignment marks

    “對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記”（Alignment Marks）成為光刻工藝中不可或缺的工具。它們是芯片上專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的標(biāo)記，用于確保在多層工藝中完成精準(zhǔn)對(duì)齊。

    2025/05/16 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 什么是光刻機(jī)的套刻誤差？

    套刻誤差是光刻工藝中最重要的概念之一，什么是套刻誤差呢？

    2025/05/16 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 下一代EUV光刻機(jī)取得重大進(jìn)展

    由imec和ASML組成的imec-ASML 聯(lián)合High NA實(shí)驗(yàn)室在開(kāi)發(fā)圖案化和蝕刻工藝、篩選新的光刻膠和底層材料、改進(jìn)計(jì)量和光掩模技術(shù)方面取得了進(jìn)展。

    2022/05/12 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • PCB的蝕刻工藝及過(guò)程控制

    PCB的蝕刻工藝及過(guò)程控制

    2017/08/16 更新 分類(lèi)：實(shí)驗(yàn)管理 分享

  • 印制電路進(jìn)行蝕刻工藝時(shí)的常見(jiàn)問(wèn)題解析

    1.印制電路中蝕刻速率降低 原因： 由于工藝參數(shù)控制不當(dāng)引起的 解決方法： 按工藝要求進(jìn)行檢查及調(diào)整溫度、噴淋壓力、溶液比重、PH值和氯化銨的含量等工藝參數(shù)到工藝規(guī)定值。

    2021/08/16 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 剛剛，佳能發(fā)布新型2nm光刻機(jī)

    最新消息，近日佳能（Canon）發(fā)布了一個(gè)名為 FPA-1200NZ2C 的納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備，號(hào)稱(chēng)通過(guò)納米壓印光刻（NIL）技術(shù)實(shí)現(xiàn)了目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。

    2023/10/17 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 重大突破！華中科技大學(xué)攻克芯片光刻膠關(guān)鍵技術(shù)

    華中科技大學(xué)研發(fā)的T150A光刻膠系列產(chǎn)品已通過(guò)半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了原材料全部國(guó)產(chǎn)配方全自主設(shè)計(jì)，有望開(kāi)創(chuàng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面

    2024/11/30 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 鋁合金表面處理——蝕刻工藝配方及操作條件

    本文詳細(xì)介紹了鋁合金表面處理技術(shù)——蝕刻技術(shù)的配方、工藝以及操作條件等。

    2018/12/19 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享

  • 醫(yī)用導(dǎo)管等離子、化學(xué)、機(jī)械三類(lèi)表面蝕刻工藝解析

    在導(dǎo)管加工中，表面蝕刻是影響產(chǎn)品性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它能改變導(dǎo)管表面微觀結(jié)構(gòu)，提升粘結(jié)力、涂層附著力，甚至助力藥物洗脫功能實(shí)現(xiàn)。今天，我們就結(jié)合實(shí)操，拆解等離子、化學(xué)、機(jī)械三類(lèi)蝕刻工藝，為導(dǎo)管工程師提供技術(shù)參考。

    2025/08/14 更新 分類(lèi)：科研開(kāi)發(fā) 分享