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半導(dǎo)體制造EUV極紫外曝光設(shè)備技術(shù)介紹。

2025/11/15 更新 分類：科研開發(fā) 分享

半導(dǎo)體制造化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)。

2025/11/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

半導(dǎo)體制造工藝波動可被拆成三層，局部工藝不匹配、全局工藝不匹配。

2025/12/20 更新 分類：科研開發(fā) 分享

半導(dǎo)體激光治療設(shè)備（第二類）研發(fā)實驗要求、主要風(fēng)險與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

2025/12/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文介紹2026年全球半導(dǎo)體行業(yè)10大技術(shù)趨勢

2025/12/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

按照導(dǎo)電性能，材料一般可以分為絕緣體、半導(dǎo)體、導(dǎo)體和超導(dǎo)體。典型的導(dǎo)體，如金屬具有大量自由電子，自由電子可以定向移動從而形成電流。絕緣體幾乎沒有可移動電子，不具備導(dǎo)電性能。

2022/12/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

近日，國家藥監(jiān)局批準(zhǔn)了西安藍(lán)極醫(yī)療電子科技有限公司的半導(dǎo)體激光治療儀注冊，本文主要介紹半導(dǎo)體激光治療儀在臨床前研發(fā)階段做了哪些實驗。局 一、 半導(dǎo)體激光治療儀的 結(jié)構(gòu)

2021/11/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

來自山東大學(xué)的高學(xué)平和張愛敏兩位研究人員在半導(dǎo)體材料表征中遇到能譜測試結(jié)果異?，F(xiàn)象，異?，F(xiàn)象產(chǎn)生原因可能與加速電壓、電子束流、元素含量、原子序數(shù)、設(shè)備靈敏度等多種因素有關(guān)。為了準(zhǔn)確了解異?，F(xiàn)象產(chǎn)生的原因，并提出合理的解釋，研究人員利用原子力顯微鏡(AFM)，蒙特卡洛模擬(Monte Carlo Simulation)軟件以及掃描電鏡配置的能譜儀等設(shè)備對此異?，F(xiàn)象進(jìn)行了分析

2020/10/14 更新 分類：實驗管理 分享

碳化硅(SiC)被認(rèn)為是半導(dǎo)體材料中最具有前途的材料之一

2019/02/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享

半導(dǎo)體器件在制造、測試、存儲、運(yùn)輸及裝配過程中，儀器設(shè)備、材料及操作者都很容易因摩擦而產(chǎn)生幾千甚至上萬伏的靜電電壓。當(dāng)器件與這些帶電體接觸時，帶電體就會通過器件引腳進(jìn)行放電，從而可能導(dǎo)致器件的損傷。

2017/11/08 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享