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  • CMOS靜電和過壓問題

    對于模擬CMOS（互補對稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過壓（信號電壓超過電源電壓）。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對。

    2023/05/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 量子計算將促進新一代芯片設(shè)計

    量子計算提供了一系列工具和解決方案，可以推動半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。其中包括提高芯片安全性、加快新材料的發(fā)現(xiàn)、優(yōu)化芯片設(shè)計和模擬量子效應(yīng)。

    2023/12/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 什么是寄生電容？寄生電容的形式與影響

    寄生電容一般是指電感繞線間、芯片引腳之間、功率半導(dǎo)體引腳之間在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。

    2024/03/08 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • EMC功放1dB增益壓縮點概述及測試方法

    非線性是如何產(chǎn)生的，為什么會引起增益壓縮，如何測試1dB增益壓縮點，這將是下文要重點介紹的內(nèi)容。

    2024/04/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 下一代芯片技術(shù)的重大突破

    本研究通過在原子水平上控制現(xiàn)有二維半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，將其轉(zhuǎn)化為一維 MTB，實現(xiàn)了一維 MTB 金屬相。

    2024/07/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 晶圓缺陷種類及去除機理

    對半導(dǎo)體晶圓在濕法清洗工藝中可能導(dǎo)致的各種缺陷成因進行分析，并對缺陷的處理方式做了簡要探討。

    2024/10/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 微通孔倒裝焊芯片封裝失效機制與改進策略

    本文探討了宇航、車載和工業(yè)控制等行業(yè)數(shù)據(jù)處理需求增長，推動半導(dǎo)體技術(shù)向更高集成度發(fā)展。

    2024/10/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 3種芯片截面分析技術(shù)

    在半導(dǎo)體世界中，了解芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是至關(guān)重要的，它不僅關(guān)系到芯片的性能，也是工程師們在故障分析、制造工藝優(yōu)化和新材料研究方面的重要工具。

    2024/11/11 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 如何理解浴盆曲線

    半導(dǎo)體器件和普通電子設(shè)備一樣，其故障區(qū)域可分為早期故障、偶然故障和耗損故障這三種類型，故障率隨時間的變化曲線被稱為浴盆曲線。

    2024/12/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 一文了解芯片鍍膜技術(shù)及檢測方法

    薄膜外延生長是一種關(guān)鍵的材料制備方法，其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。

    2025/03/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享