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本研究利用二氧化硅納米線表面懸掛鍵和氧空位等，采用共沉淀法在其表面負(fù)載磁性四氧化三鐵，制備磁性二氧化硅納米線（SiO2NW@Fe3O4）。

2024/08/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享

作者制備了CeO2、Y2O3和納米SiO2混合改性酚醛樹脂基摩擦材料，通過正交試驗進(jìn)行配方設(shè)計，結(jié)合極差分析研究了改性材料添加量對力學(xué)性能和摩擦磨損性能的影響，確定了最佳混合配方。

2025/01/02 更新 分類：科研開發(fā) 分享

研究人員通過較低溫度條件下原位CVD反應(yīng)，在超高鎳單晶LiNi0.92Co0.06Mn0.02O2表面構(gòu)建了一層NH4HCO3殼層。

2025/01/02 更新 分類：科研開發(fā) 分享

上海交通大學(xué)黃富強教授與南洋理工大學(xué)顏清宇教授等人研究發(fā)現(xiàn)商用NaFe1/3Mn1/3Ni1/3O2材料的容量衰減源于鐵離子的溶出。

2025/04/30 更新 分類：科研開發(fā) 分享

研究人員在已有文獻(xiàn)和本課題組前期研究的基礎(chǔ)上，制備了鍵合有苯胺甲基三乙氧基硅烷（AMTS）的核-殼型Fe3O4NPs@SiO2-AMTS復(fù)合材料，增強了材料的穩(wěn)定性和選擇性。

2025/06/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享

【發(fā)布單位】：衛(wèi)生福利部 【發(fā)布文號】：部授食字第1041201706號 【發(fā)布日期】：2015-05-11 【備注】：http://www.fda.gov.tw/TC/newsContent.aspx?id=13482chk=7183e1b9-b33f-4b0a-9108-ceee518d864cm=pn%3d1%26cid%3

2015/09/24 更新 分類：其他 分享

本文對GJB 546B-2011《電子元器件質(zhì)量保證大綱》中“4.8生產(chǎn)過程控制文件”條款的管理要求，從生產(chǎn)過程控制“5M1E”六個方面歸納整理后，詳細(xì)說明電子元器件貫國軍標(biāo)生產(chǎn)線生產(chǎn)過程控制文件的基本管理要求、控制要點和標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用注意事項。

2022/01/03 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享

本文主要是向大家介紹7637項目里最刺激的兩個波形，P5A和P5B，其波形主要模擬因線束不良連接，蓄電池被松開的瞬間，此時交流發(fā)電機正對蓄電池充電，其他電氣負(fù)載接在交流發(fā)電機的電路上的波形。

2022/05/18 更新 分類：科研開發(fā) 分享

研發(fā)鎂合金新的焊接技術(shù)，采用冷金屬過渡循環(huán)步進(jìn)（CMT Cycle Step）工藝，以AZ81 為焊絲焊接AZ31B 鎂合金擠壓板材，通過光學(xué)顯微鏡、維氏硬度計、拉伸試驗機、掃描電鏡（SEM）和能譜儀（EDS）分析等手段，研究了焊接接頭的顯微組織、力學(xué)性能及元素分布。

2025/08/14 更新 分類：檢測案例 分享

2025年1月7日中央軍委裝備發(fā)展部頒布GJB 151C-2024，取代GJB 151B-2013, 2025年3月1日起實施。本文對GJB 151C-2024與GJB 151B-2013相比主要差異進(jìn)行整理總結(jié)，幫助讀者對新版標(biāo)準(zhǔn)快速了解。

2025/09/22 更新 分類：法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享