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  • CMOS靜電和過(guò)壓?jiǎn)栴}

    對(duì)于模擬CMOS（互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體）而言，兩大主要危害是靜電和過(guò)壓（信號(hào)電壓超過(guò)電源電壓）。了解這兩大危害，用戶便可以有效應(yīng)對(duì)。

    2023/05/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • CMOS閂鎖效應(yīng)及失效分析

    關(guān)于 CMOS 器件的閂鎖效應(yīng)展開全面解析，從本質(zhì)定義、失效機(jī)理到防控手段，系統(tǒng)梳理了這一 CMOS 工藝固有技術(shù)問(wèn)題的核心要點(diǎn)。

    2025/09/01 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 數(shù)字芯片基本電路：CMOS反相器（逆向分析）

    以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡(jiǎn)單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過(guò)這一過(guò)程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中，快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

    2025/08/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 用于提升CMOS性能的應(yīng)變技術(shù)SMT/CESL/eSiGe/eSiC-原理及應(yīng)用

    本文介紹了用于提升CMOS性能的應(yīng)變技術(shù)SMT/CESL/eSiGe/eSiC-原理及應(yīng)用。

    2025/06/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • CMOS邏輯縮放的技術(shù)趨勢(shì)、設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與系統(tǒng)級(jí)集成路徑

    本報(bào)告由TSMC在2025年VLSI技術(shù)研討會(huì)上發(fā)布，全面梳理了CMOS邏輯縮放的技術(shù)趨勢(shì)、設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)與系統(tǒng)級(jí)集成路徑，并通過(guò)豐富的技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)證與架構(gòu)分析，描繪出未來(lái)邏輯工藝從FinFET、Nanosheet到CFET的演進(jìn)脈絡(luò)，以及DTCO與STCO雙輪驅(qū)動(dòng)下的新一代系統(tǒng)優(yōu)化策略。

    2025/12/23 更新 分類：行業(yè)研究 分享

  • 臺(tái)積電：2nm CMOS納米片工藝的38.1Mb/mm2 高密度SRAM設(shè)計(jì)

    本文是臺(tái)積電(TSMC)存儲(chǔ)器IP開發(fā)總監(jiān)Tsung-Yung Jonathan Chang博士在2025年第72屆國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)SRAM專題會(huì)議上發(fā)表的題為《A 38.1Mb/mm2 SRAM in a 2nm-CMOS-Nanosheet Technology for High-Density and Energy-Efficient Compute》的演講。

    2025/07/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • NUVIS：首個(gè)廉價(jià)高清一次性關(guān)節(jié)鏡

    隨著CMOS和封裝技術(shù)成熟，內(nèi)窺鏡一次性熱度越來(lái)越高。從Ambu最初的一次性電子咽喉鏡到如今一次性電子十二指腸鏡，無(wú)不是借助越來(lái)越成熟CMOS和封裝技術(shù)。

    2021/01/05 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • DSP硬件設(shè)計(jì)的幾個(gè)注意事項(xiàng)

    數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU（時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ）和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過(guò)CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低

    2019/03/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 臺(tái)積電2納米工藝技術(shù)介紹

    臺(tái)積電(TSMC)提出了一種基于2nm CMOS納米片工藝的38.1Mb/mm2 高密度SRAM設(shè)計(jì),用于高密度與高能效計(jì)算應(yīng)用。

    2025/05/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • FinFET 標(biāo)準(zhǔn)單元版圖設(shè)計(jì)規(guī)則

    與體硅 CMOS 相比，F(xiàn)inFET 器件在抑制短溝道效應(yīng)、降低能耗、提升電源電壓可擴(kuò)展性以及提高導(dǎo)通/關(guān)斷電流比方面均表現(xiàn)更優(yōu)。

    2025/08/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享