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  • 芯片非典型EOS（電過應(yīng)力）失效分析

    在芯片失效分析領(lǐng)域，EOS（電過應(yīng)力）是一種常見的失效模式。傳統(tǒng)的EOS失效通常表現(xiàn)為電壓或電流輸入引腳的明顯燒毀痕跡，然而近期我們遇到很多特殊的案例（開蓋觀察可能的EOS引入引腳在電性測(cè)試并未檢測(cè)出來）

    2025/10/19 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

  • 芯片失效分析方法有哪些？

    對(duì)于研發(fā)工程師，在排查完外圍電路、生產(chǎn)工藝制程可能造成的損傷后，更多的還需要原廠給予支持進(jìn)行剖片分析。不管芯片是否確實(shí)有設(shè)計(jì)問題，但出于避免責(zé)任糾紛，最終原廠回復(fù)給你的報(bào)告中很可能都是把問題指向了“EOS”損傷，進(jìn)而需要你排查自己的電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)靜電防控。

    2020/10/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 芯片溫度循環(huán)測(cè)試后鈍化層裂紋失效分析

    本文通過ANSYS仿真確認(rèn)問題產(chǎn)生根因，并通過仿真驗(yàn)證改善效果，大幅縮短了驗(yàn)證周期并降低了驗(yàn)證成本，因此通過仿真驗(yàn)證設(shè)計(jì)將會(huì)是一個(gè)大趨勢(shì)。

    2025/07/27 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

  • FinFET技術(shù)中常見的失效分析問題、可靠性問題及相應(yīng)的定位方法

    各位芯片行業(yè)的朋友們，今天，我想結(jié)合相關(guān)資料和最新研究，和大家聊聊FinFET技術(shù)中常見的失效分析（FA）問題、可靠性問題以及相應(yīng)的定位方法。

    2025/03/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 表面貼裝MOSFET產(chǎn)品上線芯片碎裂失效分析

    通過對(duì)經(jīng)過SMT工藝試驗(yàn)的產(chǎn)品抽樣進(jìn)行超聲掃描，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品載片區(qū)（PAD）與模塑料之間存在較為嚴(yán)重的離層現(xiàn)象

    2024/02/23 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

  • TDR在失效定位中的應(yīng)用

    本文通過兩個(gè)案例介紹了TDR在失效定位中的應(yīng)用：在分析復(fù)雜的PCB開短路問題或不破壞芯片的前提下，進(jìn)行互連失效定位時(shí)，TDR無(wú)疑是一種非常有效的手段。

    2021/07/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • NC（not connect pin）管腳短路導(dǎo)致的芯片失效

    本文介紹了NC（not connect pin）管腳短路導(dǎo)致的芯片失效。

    2025/04/13 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

  • 電遷移失效模式分析

    本文主要介紹了什么是電遷移，電遷移現(xiàn)象的機(jī)理，電遷移引起的失效模式及控制措施與手段。

    2022/02/24 更新 分類：科研開發(fā) 分享

  • 芯片失效根因之test escape案例分享

    本文介紹了Test escape常見的失效原因及Test escape常見的失效原因。

    2025/04/13 更新 分類：檢測(cè)案例 分享

  • 三星顯示器SPI Flash芯片輻射發(fā)射測(cè)試超標(biāo)失效分析

    某款三星電子制造的顯示器產(chǎn)品在10米法電波暗室進(jìn)行輻射（RE）發(fā)射測(cè)試時(shí),發(fā)現(xiàn)128MHz頻點(diǎn)余量不滿足6dB管控要求。

    2024/10/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享