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臺積電(TSMC)提出了一種基于2nm CMOS納米片工藝的38.1Mb/mm2 高密度SRAM設(shè)計,用于高密度與高能效計算應(yīng)用。

2025/05/19 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文是臺積電(TSMC)存儲器IP開發(fā)總監(jiān)Tsung-Yung Jonathan Chang博士在2025年第72屆國際固態(tài)電路會議(ISSCC)SRAM專題會議上發(fā)表的題為《A 38.1Mb/mm2 SRAM in a 2nm-CMOS-Nanosheet Technology for High-Density and Energy-Efficient Compute》的演講。

2025/07/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

此次臺積電發(fā)表了兩項研究成果：《采用后端RC優(yōu)化技術(shù)與遠端寫入輔助方案的3納米工藝3.6GHz雙端口SRAM》、《基于2納米CMOS納米片技術(shù)的高密度能效SRAM（存儲密度達38.1Mb/mm2）。

2025/05/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

在本論文中,英特爾展示了其采用18A RibbonFET CMOS技術(shù)的SRAM設(shè)計,該設(shè)計運用了PowerVia技術(shù)進行背面供電,使用0.023μm2大電流(HCC)與0.021μm2高密度(HDC)存儲單元。

2025/04/17 更新 分類：科研開發(fā) 分享

高密度聚乙烯牌號熔指對照表

2023/11/23 更新 分類：法規(guī)標準 分享

強生在美國推出OPTRELL TRUEref標測導(dǎo)管由CARTO 3提供動力的技術(shù)。

2023/07/25 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文主要介紹了頂空氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用法測定高密度聚乙烯瓶墊及瓶身中的溶劑殘留。

2022/03/13 更新 分類：科研開發(fā) 分享

剛剛，國家藥品監(jiān)督管理局醫(yī)療器械技術(shù)審評中心發(fā)布《高密度脂蛋白膽固醇測定試劑注冊審查指導(dǎo)原則（2024年修訂版）（征求意見稿）》.

2024/11/05 更新 分類：法規(guī)標準 分享

Stereoaxis宣布其突破性產(chǎn)品MAGiC Sweep磁導(dǎo)航導(dǎo)管獲FDA批準上市。作為全球首款機器人導(dǎo)航高密度電生理（EP）標測導(dǎo)管，MAGiC Sweep為復(fù)雜心律失?；颊叩脑\療技術(shù)帶來重大革新。

2025/07/28 更新 分類：科研開發(fā) 分享

研究高密度發(fā)泡材料性能與座椅舒適性，建量化模型，優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計，提評價體系，為座椅開發(fā)供技術(shù)支撐。

2025/09/16 更新 分類：科研開發(fā) 分享