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臺(tái)積電(TSMC)提出了一種基于2nm CMOS納米片工藝的38.1Mb/mm2 高密度SRAM設(shè)計(jì),用于高密度與高能效計(jì)算應(yīng)用。
2025/05/19 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文是臺(tái)積電(TSMC)存儲(chǔ)器IP開發(fā)總監(jiān)Tsung-Yung Jonathan Chang博士在2025年第72屆國際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)SRAM專題會(huì)議上發(fā)表的題為《A 38.1Mb/mm2 SRAM in a 2nm-CMOS-Nanosheet Technology for High-Density and Energy-Efficient Compute》的演講。
2025/07/25 更新 分類:科研開發(fā) 分享
此次臺(tái)積電發(fā)表了兩項(xiàng)研究成果:《采用后端RC優(yōu)化技術(shù)與遠(yuǎn)端寫入輔助方案的3納米工藝3.6GHz雙端口SRAM》、《基于2納米CMOS納米片技術(shù)的高密度能效SRAM(存儲(chǔ)密度達(dá)38.1Mb/mm2)。
2025/05/23 更新 分類:科研開發(fā) 分享
在本論文中,英特爾展示了其采用18A RibbonFET CMOS技術(shù)的SRAM設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)運(yùn)用了PowerVia技術(shù)進(jìn)行背面供電,使用0.023μm2大電流(HCC)與0.021μm2高密度(HDC)存儲(chǔ)單元。
2025/04/17 更新 分類:科研開發(fā) 分享
高密度聚乙烯牌號(hào)熔指對(duì)照表
2023/11/23 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
強(qiáng)生在美國推出OPTRELL TRUEref標(biāo)測導(dǎo)管由CARTO 3提供動(dòng)力的技術(shù)。
2023/07/25 更新 分類:科研開發(fā) 分享
本文主要介紹了頂空氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用法測定高密度聚乙烯瓶墊及瓶身中的溶劑殘留。
2022/03/13 更新 分類:科研開發(fā) 分享
剛剛,國家藥品監(jiān)督管理局醫(yī)療器械技術(shù)審評(píng)中心發(fā)布《高密度脂蛋白膽固醇測定試劑注冊審查指導(dǎo)原則(2024年修訂版)(征求意見稿)》.
2024/11/05 更新 分類:法規(guī)標(biāo)準(zhǔn) 分享
Stereoaxis宣布其突破性產(chǎn)品MAGiC Sweep磁導(dǎo)航導(dǎo)管獲FDA批準(zhǔn)上市。作為全球首款機(jī)器人導(dǎo)航高密度電生理(EP)標(biāo)測導(dǎo)管,MAGiC Sweep為復(fù)雜心律失?;颊叩脑\療技術(shù)帶來重大革新。
2025/07/28 更新 分類:科研開發(fā) 分享
研究高密度發(fā)泡材料性能與座椅舒適性,建量化模型,優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),提評(píng)價(jià)體系,為座椅開發(fā)供技術(shù)支撐。
2025/09/16 更新 分類:科研開發(fā) 分享