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先進封裝中的混合鍵合技術(shù)：CIS/NAND/DRAM/Logic/Advanced package。

2025/09/14 更新 分類：科研開發(fā) 分享

為了實現(xiàn) Blackwell 巨大的算力需求，英偉達從傳統(tǒng)的CoWoS-S轉(zhuǎn)向了更具擴展性的CoWoS-L封裝。

2025/12/26 更新 分類：科研開發(fā) 分享

本文將以臺積電（TSMC）的CoWoS?(Chip on Wafer on Substrate)技術(shù)為主介紹行業(yè)主流的2.5D封裝解決方案。

2025/12/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

電子器件是一個非常復(fù)雜的系統(tǒng)，其封裝過程的缺陷和失效也是非常復(fù)雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一個系統(tǒng)性的了解，這樣才能從多個角度去分析缺陷產(chǎn)生的原因。

2018/09/27 更新 分類：科研開發(fā) 分享

電子器件是一個非常復(fù)雜的系統(tǒng)，其封裝過程的缺陷和失效也是非常復(fù)雜的。因此，研究封裝缺陷和失效需要對封裝過程有一個系統(tǒng)性的了解，這樣才能從多個角度去分析缺陷產(chǎn)生的原因。

2020/08/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計、芯片制造、封裝測試三大領(lǐng)域，我們逐一進行分析，芯片設(shè)計主要從EDA、IP、設(shè)計三個方面來分析；芯片制造主要從設(shè)備、工藝和材料三個方面來分析；封裝測試則從封裝設(shè)計、產(chǎn)品封裝和芯片測試幾方面來分析。

2021/02/23 更新 分類：科研開發(fā) 分享

LED器件的失效模式主要包括電失效(如短路或斷路)、光失效(如高溫導(dǎo)致的灌封膠黃化、光學(xué)性能劣化等)和機械失效(如引線斷裂，脫焊等)，而這些因素都與封裝結(jié)構(gòu)和工藝有關(guān)。 LED的使

2020/12/10 更新 分類：科研開發(fā) 分享

SiP組件的失效模式主要表現(xiàn)為硅通孔（TSV）失效、裸芯片疊層封裝失效、堆疊封裝（PoP）結(jié)構(gòu)失效、芯片倒裝焊失效等，這些SiP的高密度封裝結(jié)構(gòu)失效是導(dǎo)致SiP產(chǎn)品性能失效的重要原因。

2021/04/29 更新 分類：科研開發(fā) 分享

ENCRT是由成熟的生物相容性材料制成納米多孔的柔性囊袋，可以將細胞封裝柔性囊袋內(nèi)，旨在保護治療性細胞免受免疫排斥，實現(xiàn)血管整合，并消除對終身免疫抑制的需求。

2026/01/07 更新 分類：科研開發(fā) 分享

大體而言集成電路產(chǎn)業(yè)可分為三個階段：電路設(shè)計，晶圓制造，封裝測試。電路設(shè)計大體是一群電路系統(tǒng)畢業(yè)的學(xué)霸搞出來的(因為學(xué)霸，所以高薪)，他們把設(shè)計好電路給晶圓制造廠(臺積電、聯(lián)電、中芯國際……)，最后圓片從晶圓廠發(fā)貨到封裝測試廠(日月光、安靠、長電科技……)。

2021/03/22 更新 分類：科研開發(fā) 分享