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  • 芯片封裝綁線設(shè)計與不良分析方法

    芯片封裝綁線設(shè)計: 1.金線的選擇,2. 芯片pad設(shè)計規(guī)則;WB工藝主要從:工藝,主要參數(shù)對鍵合的影響,劈刀的選型,打線可靠性標(biāo)準(zhǔn),線弧設(shè)計,常見不良及原因分析和如何提升打線效率幾個方面。

    2021/06/24 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 芯片封裝中引線鍵合互連特性分析

    本文研究了芯片封裝中鍵合線的建模和模型參數(shù)提取方法。根據(jù)二端口網(wǎng)絡(luò)參量,提出了單鍵合線的"型等效電路并提取了模型中的R、L和C參量。最后,設(shè)計出一個簡單、低成本的測試結(jié)構(gòu)驗證了仿真分析結(jié)果。

    2021/07/07 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 功率器件封裝體填充不良分析及改進(jìn)措施

    本文從模塑料填充料選用及餅徑選用、產(chǎn)品優(yōu)化、模具優(yōu)選等方面分析了填充不良產(chǎn)生的原因,通過對模具排氣槽、灌膠口、流道形狀進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計,并結(jié)合實踐經(jīng)驗,總結(jié)了設(shè)計預(yù)防、去除填充不良的方法,提出了預(yù)防填充不良產(chǎn)生的一些較為實用的方法或方案,對封裝工程師分析解決填充不良問題能起到一定的借鑒作用。

    2021/12/13 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 半導(dǎo)體器件鍵合失效模式及機(jī)理分析

    本文通過對典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對各種失效模式總結(jié),闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良,造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理;并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。

    2021/12/16 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 集成電路金屬封裝失效模式分析與糾正措施

    本文針對一種金屬氣密封裝的混合集成電路在應(yīng)用于某彈載高發(fā)射過載沖擊環(huán)境時出現(xiàn)的功能失效現(xiàn)象,進(jìn)行了機(jī)理分析、仿真驗證,并且給出了改進(jìn)措施。

    2022/02/18 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • AECQ中的芯片剪切強(qiáng)度測試

    芯片剪切強(qiáng)度試驗主要是考核芯片與底座的附著強(qiáng)度,評價芯片安裝在底座上所使用的材料和工藝步驟的可靠性,是對芯片封裝質(zhì)量的測試方法。根據(jù)剪切力的大小來判斷芯片封裝的質(zhì)量是否符合要求,并根據(jù)芯片剪切時失效的位置和失效模式來及時糾正芯片封裝過程中所發(fā)生的問題。

    2022/10/28 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 電子封裝用環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料的研究進(jìn)展

    為了給相關(guān)研究人員提供參考,作者綜述了電子封裝領(lǐng)域用環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料的種類以及導(dǎo)熱性能、絕緣性能、介電性能和力學(xué)性能的研究進(jìn)展,對電子封裝用環(huán)氧樹脂基復(fù)合材料今后的發(fā)展方向進(jìn)行了展望。

    2025/01/21 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 人工智能加速先進(jìn)封裝中的熱機(jī)械仿真

    本CASE所提出的基于cGAN的翹曲預(yù)測模型特別具有優(yōu)勢,因為它能夠輸出2D全局翹曲分布,從而能夠為不均勻和復(fù)雜翹曲封裝獲取直觀的結(jié)果。

    2025/11/24 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 常見膠囊殼種類盤點(diǎn)及優(yōu)缺點(diǎn)

    膠囊劑型,廣泛用于封裝粉末、顆粒、小丸、液體和半固體,分為軟殼膠囊和硬殼膠囊。

    2022/02/14 更新 分類:科研開發(fā) 分享

  • 三星最新芯片路線圖:工藝、封裝和存儲

    本文介紹了三星最新芯片路線圖。

    2024/06/27 更新 分類:科研開發(fā) 分享